三星將采用20nm工藝制造4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒
[導讀]繼去年采用30nm制程生產(chǎn)目前存儲密度最高的4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒之后，昨日三星正式宣布該公司開始使用最新的20nm制程工藝制造這一產(chǎn)品。新的20nm工藝4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒更?。核念w粒堆疊封裝組成的一塊2GByte LPD
繼去年采用30nm制程生產(chǎn)目前存儲密度最高的4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒之后，昨日三星正式宣布該公司開始使用最新的20nm制程工藝制造這一產(chǎn)品。
新的20nm工藝4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒更薄：四顆粒堆疊封裝組成的一塊2GByte LPDDR2內(nèi)存厚度為0.8mm，比之前30nm工藝的LPDDR2芯片少20%，傳輸速度最高同為1066Mbps（即頻率1066MHz）。
三星希望新的20nm工藝4Gb LPDDR2顆粒能迅速取代目前智能手機上廣泛使用的30nm 2Gb LPDDR2產(chǎn)品。同為1GB容量方案，新的20nm 4Gb顆粒只需2塊堆疊而舊的2Gb產(chǎn)品需要4塊。
根據(jù)IHS iSuppli的統(tǒng)計，隨著智能手機/平板電腦以及超輕薄筆記本電腦的飛速發(fā)展，4Gb LPDDR2的出貨量正在迅速上升：2012年內(nèi)能占DRAM市場總出貨量的13%，2013年可占49%而2014年更是可達63%。2013年底4Gb DRAM顆粒將成為DRAM市場的主流產(chǎn)品，屆時智能手機/平板電腦的主流產(chǎn)品內(nèi)存容量可達2GB，此前NTT Docomo版的三星Galaxy S III正是使用4塊4Gb LPDDR2顆粒組成了2GB內(nèi)存。
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