ReRAM研發(fā)成功

倫敦大學(xué)研究人員宣布，他們拿出了第一個(gè)純粹基于氧化硅的電阻RAM（ReRAM）內(nèi)存芯片。該芯片可以在室溫環(huán)境當(dāng)中正常工作，因此可以用在未來超快內(nèi)存上。

ReRAM內(nèi)存芯片的基礎(chǔ)材料，在施加電壓情況下會(huì)改變電阻，使它們可以不需要電能就能保存數(shù)據(jù)。這些芯片以更少的電力和空間消耗，帶來比目前芯片大得多的存儲(chǔ)空間。

倫敦大學(xué)電子和電氣工程學(xué)院的研發(fā)人員表示，和目前閃存芯片相比，ReRAM內(nèi)存芯片能耗只有其千分之一，存儲(chǔ)速度卻要快上數(shù)百倍。

ReRAM室溫運(yùn)行特點(diǎn)，加上連續(xù)可變電阻特性，使其有巨大的潛在應(yīng)用范圍。研發(fā)人員表示，不像其他研發(fā)中的氧化硅芯片，其設(shè)備不需要真空工作環(huán)境，因此更便宜，更耐用。

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