新存儲(chǔ)技術(shù)能使機(jī)械硬盤容量提升5倍

德克薩斯大學(xué)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)正致力于開發(fā)一項(xiàng)新奇的存儲(chǔ)技術(shù)，可避免目前數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的某些局限，將硬盤驅(qū)動(dòng)器帶向高密度、低成本及更佳可靠性的道路。或許回來我們使用的硬盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度會(huì)有質(zhì)的飛躍。

自打硬盤驅(qū)動(dòng)器自20世紀(jì)50年代首度引進(jìn)計(jì)算機(jī)之后，存儲(chǔ)空間的密度就有了9倍數(shù)量級(jí)的增長，這和集成電路在性能方面的提升比起來簡直速度太慢了。如果按照現(xiàn)如今的技術(shù)和價(jià)格趨勢(shì)持續(xù)下去，10年以后，我們會(huì)在市場(chǎng)上看到2.5'的40TB容量硬盤，售價(jià)大概會(huì)是40美元(約合人民幣250元)上下。

不過通往低成本數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的道路并不是完全暢通無阻的。對(duì)于硬盤驅(qū)動(dòng)器來說，字節(jié)是存儲(chǔ)在單獨(dú)的金屬表面磁點(diǎn)上的，這些磁點(diǎn)靠得越近，那么就表示存儲(chǔ)密度越高。這樣的話，我們可以在1平方英寸的金屬表面上鋪滿1萬億個(gè)磁點(diǎn)(128GB的數(shù)據(jù))。如果想讓磁點(diǎn)靠得更近，點(diǎn)與點(diǎn)之間就會(huì)開始出現(xiàn)磁場(chǎng)干擾，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

德克薩斯大學(xué)的研究者對(duì)此問題有了他們自己的解決方法：他們能夠造出納米級(jí)別的自裝點(diǎn)，足以解決傳統(tǒng)設(shè)計(jì)上的局限。存儲(chǔ)密度在達(dá)到全新的高度以后，大容量硬盤的成本及穩(wěn)定性自然又能再上一個(gè)臺(tái)階。

這項(xiàng)開發(fā)的關(guān)鍵所在是嵌段共聚物的合成，這是一種能夠快速自組裝成小于10納米的點(diǎn)的一種材料，有史以來能夠產(chǎn)生的最小的點(diǎn)。隨后聚合物就會(huì)以任意模式銘刻到儲(chǔ)存載體表面。這種做法在制造硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)是很有好處的：將聚合物堆積在相應(yīng)的金屬基片上時(shí)，聚合物便會(huì)按照一定方法以極高的精度生成所需的點(diǎn)，整個(gè)過程僅需數(shù)秒時(shí)間。

此外，這一解決方案還可讓點(diǎn)的排布無需太過密集了，數(shù)據(jù)完整性依然有保證。研究者為此也找到了相應(yīng)的方法。研究者發(fā)現(xiàn)每當(dāng)點(diǎn)呈孤立狀態(tài)，他們之間也沒有磁性材料的話，彼此之間就不會(huì)發(fā)生不穩(wěn)定的情況。所以設(shè)計(jì)在金屬磁盤表面覆蓋一種特殊涂層，可保證數(shù)據(jù)的安全性。

目前德克薩斯大學(xué)的這個(gè)研究團(tuán)隊(duì)正與日立環(huán)球存儲(chǔ)科技公司合作，嘗試將此技術(shù)應(yīng)用到日立的存儲(chǔ)產(chǎn)品中去，未知未來我們看到的硬盤產(chǎn)品容量在什么時(shí)間能夠較大的飛躍，并且價(jià)錢也更便宜一些。