美光早早發(fā)布DDR4內(nèi)存為哪般？

美光早在今年年初就放話，自家的DDR4內(nèi)存年內(nèi)發(fā)布，然后就沒(méi)有了動(dòng)靜，現(xiàn)在離2014年還剩不到2個(gè)月了，說(shuō)好的DDR4還來(lái)不來(lái)了?根據(jù)最近在美光網(wǎng)站上的一張路線圖，DDR4今年是肯定有的。

作為DDR3的繼任者，DDR4內(nèi)存運(yùn)行電壓將比前者低20%，速度卻至少能達(dá)到后者的兩倍，頻率從2133MHz起步，最高可支持4266MHz。

雖然DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)早已經(jīng)制定完畢，各家內(nèi)存廠商也都完成了自己DDR4內(nèi)存的研發(fā)，不過(guò)大家都不著急發(fā)布，為什么呢?根絕Intel的計(jì)劃，第一款支持DDR4內(nèi)存的處理器Haswell-E在2014年中后期的某個(gè)時(shí)間才會(huì)發(fā)布，這還僅僅是在發(fā)燒領(lǐng)域，而AMD至今也沒(méi)有明確表示過(guò)什么時(shí)候開(kāi)始支持DDR4。

那既然未來(lái)7、8個(gè)月內(nèi)都沒(méi)有DDR4內(nèi)存可用的平臺(tái)，美光著急發(fā)布干什么?外媒VR-ZONE給出了解讀-給投資者和媒體看的，而且美光將在12月19號(hào)公布下季度報(bào)告，成為首家發(fā)布DDR4內(nèi)存的公司在報(bào)告里可以成為不錯(cuò)的自夸資本。

所以作為普通消費(fèi)者，未來(lái)一個(gè)多月即使看到美光發(fā)布了DDR4內(nèi)存也不要激動(dòng)，想用至少要等到2015年了。