誰說Intel偷懶？明年14核心 后年18核心

Intel這兩年在消費(fèi)級領(lǐng)域的進(jìn)步很緩慢，大家紛紛指責(zé)缺乏競爭讓Intel變得懶惰了，不過在服務(wù)器領(lǐng)域，Intel仍將快馬加鞭，每年都會(huì)有新變化。

今年九月份，Intel正式發(fā)布了新一代雙路處理器Ivy Bridge-EP Xeon E5-2600 v2，最多12個(gè)核心。雖然比上代提升有限，但依然無敵(AMD完全無力抗衡)，市場上也大獲成功，賣得非常好，拿下超級計(jì)算機(jī)世界第一的天河二號都用的它。

很快，面向四路和更大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的Ivy Bridge-EX Xeon E7 v2系列也將誕生，最多15個(gè)核心。

值得一提的是，現(xiàn)已確認(rèn)，12核心的IVB-EP其實(shí)是15核心IVB-EX屏蔽而來的，不像10核心、6核心那樣是原生的——總算知道Intel為什么偏偏不公布12核心版本的內(nèi)核照片了。

明年秋天(IDF 2014期間)，Intel將推出Haswell-EP Xeon E5-2600 v3系列，最多14個(gè)核心(28個(gè)線程)、35MB三級緩存(每核心依然對應(yīng)2.5MB)，同時(shí)還會(huì)有原生8核心，但是這個(gè)14核心是原生的，還是Haswell-EX上借用過來的上不得而知，后者的核心數(shù)量可能會(huì)超過16個(gè)。

Haswell-EP仍將基于22nm，但是系統(tǒng)架構(gòu)將出現(xiàn)飛躍式的巨大變化，比如首次引入DDR4內(nèi)存，RDIMM、LPDIMM，四通道，起步頻率2133MHz;QPI總線升級至1.1版本，最高速率提升至9.6GT/s;原生支持USB 3.0、SAS 12Gbps、PCI-E固態(tài)硬盤等等。其中不少還會(huì)延續(xù)到桌面發(fā)燒平臺(tái)Haswell-E，尤其是DDR4。

不過，PCI-E 3.0總線還是40條不變。

Haswell-EP研發(fā)順利，工程樣品已經(jīng)寄出測試，目前一切正常。

之后再過一年(IDF 2015)，Intel將再次帶來新的Broadwell-EP，正式名稱自然是Xeon E5-2600 v4，首次為服務(wù)器和工作站引入14nm，核心數(shù)量最多達(dá)到18個(gè)(36線程)，三級緩存也因此增至最多45MB。

據(jù)猜測，18核心也可能不是原生的，而是從核心肯定更多的Broadwell-EX上挪用而來，同時(shí)還有原生16核心版本。這一招真是要用到底啊。

Broadwell-EP的基本架構(gòu)保持不變(主要是提升工藝嘛)，但是內(nèi)存會(huì)增加支持立體封裝的3DS LRDIMM，頻率也進(jìn)一步提升至DDR4-2400。通道依然是四個(gè)，每通道最多兩條，因此雙路系統(tǒng)最多能裝16條，單條128GB的話總?cè)萘烤涂蛇_(dá)2TB。

Intel還宣稱，DDR4-2400相比于DDR3-1866可以帶來15-25%的性能提升，而且功耗更低(電壓降至1.2V)。

Broadwell-EP還將支持10GbE以太網(wǎng)、Fultonvale 2TB PCI-E 3.0固態(tài)硬盤、PCI-E 3.0 Xeon Phi協(xié)處理器。

有趣的是，Broadwell-EP、Haswell-EP雖然工藝不同，但是熱設(shè)計(jì)功耗將處在同一級別，最高都能達(dá)到160W(工作站/現(xiàn)在最高150W)，同時(shí)還有145、135、120、105、85、80、70W等等。

按照Intel的估計(jì)，雙路18核心Broadwell-EP 145W相比于雙路12核心Ivy Bridge-EP 130W，整數(shù)和浮點(diǎn)吞吐能力可提升將近60%，數(shù)據(jù)庫性能提升超過80%。

芯片組方面，Haswell-EP、Broadwell-EP都將搭配Wellsburg C610系列，保持彼此兼容，升級后者只需刷BIOS即可。

該芯片組支持最多10個(gè)SATA 6Gbps、6個(gè)USB 3.0、8個(gè)USB 2.0、八條PCI-E 2.0。

Haswell-EP工程樣品

E5-2600系列每年更新一代

E5-2600 v3/v4主要特性比較

E5-2600 v3/v4理論性能提升

C610芯片組