意法半導(dǎo)體（ST）推出新款超低功耗STM32微控制器，更大的存儲(chǔ)容量和更低的功耗提升產(chǎn)品價(jià)值

21ic訊—意法半導(dǎo)體STM32 L1系列超低功耗ARM® Cortex®-M3 32位微控制器新增一款512KB閃存產(chǎn)品。目前L1系列共有三個(gè)產(chǎn)品線合70余款產(chǎn)品，其超低功耗和存儲(chǔ)容量的組合在市場上堪稱獨(dú)一無二，閃存和RAM最大容量分別高達(dá)512KB和80KB。

新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的超低泄漏電流的110納米CMOS制造工藝和優(yōu)化的系統(tǒng)架構(gòu)，工作能耗極低，目標(biāo)應(yīng)用瞄準(zhǔn)高成本效益的嵌入式設(shè)計(jì)，適用于健身、醫(yī)療、穿戴式設(shè)備和工業(yè)/電表等電池供電的聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

L1系列的主要特性：

· 高性能ARM Cortex-M3 32位內(nèi)核：在32MHz時(shí)高達(dá)33 DMIPS;

· 引腳對(duì)引腳和軟件與上一代STM32 L系列兼容;

· 在32MHz時(shí)，運(yùn)行模式動(dòng)態(tài)功耗257µA/MHz;在4MHz時(shí)，低至177µA/MHz;

· 兩個(gè)超低功耗模式：在SRAM內(nèi)容保留時(shí)，功耗低至435nA;

· 真正的嵌入式EEPROM;

· 雙區(qū)閃存，RWW讀寫同步功能使其支持具有失效保護(hù)功能的固件快速更新和恢復(fù)。

新產(chǎn)品繼承STM32 L1優(yōu)勢，包括電壓調(diào)節(jié)、靈活的時(shí)鐘樹內(nèi)置低功耗多速內(nèi)部振蕩器(multi-speed internal，MSI)和-40°C 至+85°C的工作溫度范圍，低工作模式下工作溫度高達(dá)105°C，同時(shí)意法半導(dǎo)體的新110納米制造工藝在 25°C至+105°C溫度范圍內(nèi)取得工業(yè)最小的功耗變化。

為加快軟硬件開發(fā)，STM32 L1 512KB配備一個(gè)STM32 Nucleo擴(kuò)展板。新的原型開發(fā)板具有 mbed 功能，支持Arduino 接口，同時(shí)還提供意法半導(dǎo)體 Morpho 擴(kuò)展排針，可連接微控制器的所有片上周邊外設(shè)。

作為STM32產(chǎn)品系列的一員，新產(chǎn)品充分利用了意法半導(dǎo)體為上一代超低功耗產(chǎn)品開發(fā)的所有軟件庫和開發(fā)工具，方便設(shè)計(jì)人員輕松移植現(xiàn)有應(yīng)用。

STM32L151、STM32L152和STM32L162三個(gè)系列現(xiàn)已量產(chǎn)。