押注存儲業(yè)務(wù)，英特爾中國大連二期工廠投產(chǎn)：主產(chǎn)96層3D NAND閃存

在英特爾的轉(zhuǎn)型業(yè)務(wù)中，存儲芯片業(yè)務(wù)未來會占據(jù)更多的比重，盡管目前營收的絕對主力是客戶端及數(shù)據(jù)中心處理器。英特爾的閃存業(yè)務(wù)是跟美光合資的，也就是IMFT公司，不過IMFT現(xiàn)在是美光為主，在第四代3DNAND閃存及第二代3X XPoint閃存之后，英特爾將與美光公司和平分手，雙方各自研發(fā)、生產(chǎn)自家的閃存芯片。英特爾公司三年前宣布將中國大連的Fab 68晶圓廠改造為NAND工廠，總投資55億美元，現(xiàn)在二期工廠已經(jīng)投產(chǎn)了，主要生存96層堆棧的3D NAND閃存。

在全球NAND閃存市場上，三星份額達(dá)到37%，東芝、西數(shù)分別在20%、15%左右，其次是美光、SK Hynix，英特爾是六家廠商中份額最少的，不足10%，這也導(dǎo)致英特爾的NAND閃存及SSD硬盤主打企業(yè)級市場，消費(fèi)級SSD就是玩玩，影響力遠(yuǎn)不如三星、東芝、美光等，根源問題則是英特爾沒有獨(dú)立的NAND閃存產(chǎn)能。

2015年英特爾宣布將在中國大連的Fab 68工廠建設(shè)二期工程，主要生產(chǎn)非易失性存儲器，也就是NAND閃存，項(xiàng)目總投資不超過55億美元。如今經(jīng)過三年的建設(shè)，F(xiàn)ab 68二期工廠正式投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層3D NAND閃存，這也意味著英特爾未來的3D NAND閃存產(chǎn)能將會大增。

英特爾公司2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)議，2007年起在大連投資25億美元建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測試，2010年大連工廠正式落成。

未來大連Fab 68工廠將成為英特爾最重要的NAND閃存生產(chǎn)基地，70%的3D NAND閃存將產(chǎn)自這里，不過在3D XPoint閃存上，英特爾正在把研發(fā)基地移師新墨西哥州奧蘭珠市的工廠，預(yù)計(jì)會增加100多個(gè)工作崗位。

目前英特爾與美光的3D XPoint閃存主要是在美國猶他州的工廠生產(chǎn)，雙方將繼續(xù)通力合作完成第二代3D XPoint技術(shù)開發(fā)，最終將會在2019年上半年完成并開始推出市場。但之后兩家就會分道揚(yáng)鑣，各自開發(fā)基于3D XPoint技術(shù)的第三代產(chǎn)品。