2019年內(nèi)存價格持續(xù)下跌，三巨頭齊減產(chǎn)能否扭轉局勢？

2018年Q4季度中，漲了兩年多的內(nèi)存價格終于開始跌了，DRAM合約價相比上個季度減少了10%左右，最近大家可能也看到一些內(nèi)存產(chǎn)品在殺價了，部分16GB內(nèi)存甚至能做到500元左右，而2017年底8GB DDR4內(nèi)存價格一度沖向1000元。2019年由于PC、服務器及智能手機等產(chǎn)品需求疲軟，內(nèi)存價格預計還會繼續(xù)跌，不過三星、SK Hynix及美光三大廠商并不樂見內(nèi)存降價，紛紛采取減少產(chǎn)能的方式以期阻止內(nèi)存價格下跌。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發(fā)布了2019年DRAM內(nèi)存市場研究報告，以下是集邦科技的報告正文：

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，2018年第四季DRAM合約價格較前一季大幅修正約10%后，2019年由于PC、服務器與智能手機等終端產(chǎn)品需求疲軟，因此DRAM主要供應商紛紛放緩新增產(chǎn)能的腳步，以期減緩價格跌勢。

DRAMeXchange指出，與實際位元生產(chǎn)量最相關的指標為各供應商的資本支出計劃，而2019年DRAM產(chǎn)業(yè)用于生產(chǎn)的資本支出總金額約為180億美元，年減約10%，為近年來最保守的投資水位。

其中，兩家韓系廠商最先宣布將放緩2019年投資計劃。市占最大的三星半導體2019年DRAM投資總金額約在80億美元，主要用在先進制程(1Ynm)的持續(xù)轉進以及新產(chǎn)品的開發(fā)。投片計劃是三星近年來最保守的一次，目前決議終止平澤廠(Line18)擴產(chǎn)計劃，將使2019年位元成長達到歷年新低，約在20%水位。

市占第二名的SK海力士2019年DRAM投資金額也降低到約55億美元，主要用以持續(xù)轉進新制程與提升良率為主。但由于中國無錫新廠才剛落成，因此該廠全年仍有約30-40K產(chǎn)能提升，根據(jù)DRAMeXchange計算，SK海力士2019年位元成長約21%，稍微高過三星。

而市占第三的美光半導體，近日才宣布下修2019年資本支出至約30億美元，并且將2019年的生產(chǎn)位元成長目標由原先的近20%下修至15%水位，以期改善庫存持續(xù)升高的狀況。而美光半導體目前不論是在瑞晶(臺灣美光存儲器)、華亞科(臺灣美光晶圓科技)、原Elpida廣島廠等都沒有擴產(chǎn)計劃，2019年投片水平維持在每個月350K的水平，而位元成長將僅來自1Ynm的持續(xù)轉進。DRAMeXchange認為，美光因為成本結構與兩大韓系廠相較偏弱，因此對于承受價格持續(xù)下跌的空間較小，才會有較大動作的反應。在連續(xù)兩年供給位元成長都僅有15%的情況下，美光市占持續(xù)被壓縮。

供應商放緩新增產(chǎn)能、避免削價競爭，以維持獲利空間

從三大廠商下修2019年資本支出的營運方向可以看出，在寡占市場中由于沒有新進競爭者的威脅，各供應商選擇透過調整產(chǎn)出，來避免削價競爭。從獲利表現(xiàn)來看，三星與SK海力士生產(chǎn)DRAM的毛利仍有近8成，美光也有6成以上的水平，因此各廠在獲利仍豐厚的情況下，選擇保守看待2019年的生產(chǎn)展望，也是較為合理的作法。

至于需求端，2019年第一季受到連假以及淡季效應的影響，將會是最為疲弱的季度，而且目前也沒有跡象顯示第二季之后需求會有所改善。在中美貿(mào)易摩擦持續(xù)延燒的大前提下，市場仍充滿不確定性，基于上述供需預測，DRAM價格仍將逐季修正，2019年第一季價格下修幅度約為15%，第二季預期將收斂至10%以內(nèi)，而下半年除非需求明顯改善，否則價格仍將維持約5%的季度下修。