日研發(fā)出新型混合SSD存儲體 突破PC最大瓶頸

根據(jù)最近報道，一個來自日本中央大學(xué)的研究小組，成功發(fā)展出一種新型混合SSD存儲體，存儲和讀取速度比目前一般的固態(tài)存儲單元快11倍。不僅如此，這種新存儲體能耗比純NAND閃存低93%，壽命則延長了7倍。

這種新型混合存儲體，是由NAND閃存單元和新型硅晶片ReRAM(可變式電阻記憶體）組合而成。NAND 閃存我們比較熟悉了，而對ReRAM硅晶片，先前曾有報道稱它的速度比一般的閃存記憶體快100倍。ReRAM由二氧化矽（silicon oxide）制成，因此晶片的電阻表現(xiàn)更佳，另外因為其不需要真空生產(chǎn)，所以造價也比較便宜。借助其對各種傳導(dǎo)率的適應(yīng)能力這款芯片也可以被當(dāng)做內(nèi)存等記憶體使用。而且Elpida、Sharp、Panasonic這些廠商目前已將這種技術(shù)應(yīng)用到自己的芯片產(chǎn)品中去。

硬盤和內(nèi)存一直是傳統(tǒng)PC運行速度最大的瓶頸，由于存儲媒介讀取速度慢，受限于傳輸?shù)妮^小數(shù)據(jù)流和較窄的帶寬，CPU空有強(qiáng)大的處理能力而無法完全發(fā)揮。如果這種新型混合SSD大面積商用和推廣，PC的系統(tǒng)啟動速度和軟件啟動速度，都將明顯提高，進(jìn)入大型游戲無需再經(jīng)過漫長等待，讀取龐大文件和程序固有的延遲也將大大減少。舉個例子，魔獸世界切換界面和主城地圖的過程將變成一瞬間的事。目前因為前期投資成本的問題，ReRAM晶片的造價還比較高，因此這種新型混合SSD存儲體離消費市場還比較遙遠(yuǎn)?？梢灶A(yù)見的是，由于新存儲媒介的高效，它可能最先出現(xiàn)在成本較高的商業(yè)系統(tǒng)上。

研究團(tuán)隊明天將參加在夏威夷舉行的半導(dǎo)體國際會議( Hawaii Symposium on VSLI Circuits)，對這種新技術(shù)進(jìn)行公開討論。