延遲和錯(cuò)誤率令固態(tài)硬盤(pán)前景蒙上陰影

加州大學(xué)和微軟的研究發(fā)現(xiàn)，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會(huì)出現(xiàn)顯著的性能退化。當(dāng)電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會(huì)增加一倍。

加州大學(xué)的研究生Laura Grupp說(shuō)，他們測(cè)試了7家SSD供應(yīng)商的45種不同類(lèi)型NAND Flash芯片，這些芯片采用了72nm到25nm的光刻工藝，發(fā)現(xiàn)芯片尺寸縮小伴隨著性能退化和錯(cuò)誤率增加。TLC （三層存儲(chǔ)單元）NAND的性能最差，之后是MLC（雙層存儲(chǔ)單元）NAND和SLC（單層存儲(chǔ)單元）NAND。研究人員說(shuō)，由于性能退化，基于MLC NAND的固態(tài)硬盤(pán)難以超過(guò)4TB，基于TLC NAND的固態(tài)硬盤(pán)難以突破16TB，因此固態(tài)硬盤(pán)的未來(lái)之路可能在2024年到頭。