英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設備，在NAND閃存技術領域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產其20納米制程64Gb NAND閃存，進一步擴展了雙方在NAND制程工藝技術領域的領導地位。
單片容量達128Gb的全新20納米制程NAND設備是由英特爾與美光的合資企業(yè)——IM Flash Technologies（IMFT）開發(fā)而成，它也是業(yè)內首款通過在指尖大小的封裝中僅集成8塊芯片來實現(xiàn)1Tb數(shù)據(jù)存儲容量的NAND設備。與英特爾及美光現(xiàn)有的20納米制程64Gb NAND設備相比，新設備在存儲容量和性能方面均提升了一倍。它還符合高速ONFI 3.0（Open NAND Flash Interface 3.0）規(guī)范，傳輸速度可達333 MT/s（每秒百萬次傳輸），可為用戶帶來更加經濟高效的固態(tài)存儲解決方案，以滿足當今纖薄時尚型產品，包括平板電腦、智能手機和大容量固態(tài)硬盤（SSD）的設計需求。
美光公司NAND解決方案部門副總裁Glen Hawk表示：“隨著便攜式產品日趨小型化和時尚化，以及服務器需求的日益增加，我們的用戶期望美光能夠推出創(chuàng)新的存儲技術和系統(tǒng)解決方案來應對這些挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)深化與英特爾公司的合作，不斷推出領先的NAND技術和提供對構建相關系統(tǒng)來說至關重要的專業(yè)知識。”
英特爾和美光還透露，其20納米制程工藝技術成功的關鍵，就在于一種創(chuàng)新的存儲單元結構，它擁有比傳統(tǒng)結構更高的存儲單元可擴展性，這一結構就是業(yè)界首創(chuàng)的平面存儲單元結構。該結構能夠幫助有效克服先進制程技術一直面臨的挑戰(zhàn)，同時實現(xiàn)毫不遜色于上一代產品的卓越性能與可靠性。平面存儲單元結構通過在NAND閃存制造中集成首個高K/金屬柵極堆棧，成功打破了標準NAND閃存浮置柵極單元的擴展限制。
英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經理Rob Crooke表示：“在英特爾和美光的攜手努力下，我們的制造團隊創(chuàng)下了多個業(yè)界第一，推出了眾多高密度、低成本的高品質20納米制程NAND設備，有力地鞏固了我們在NAND技術領域的領導地位，對此我們備感振奮。通過使用平面存儲單元結構和高K/金屬柵極堆棧技術，IMFT進一步提升了我們在NAND閃存解決方案上的技術能力，以支持更多富有吸引力的全新產品、服務及設備規(guī)格的問世。”
當前，三大彼此關聯(lián)的市場趨勢激發(fā)了對于大容量NAND閃存設備的需求，它們包括：數(shù)據(jù)存儲的增長、向云計算的邁進及便攜式設備的廣泛使用。隨著數(shù)字化內容的日益增長，用戶希望能夠跨多種設備使用數(shù)據(jù)，并通過云計算進行同步。為有效傳輸數(shù)據(jù)，服務器需要采用高性能、大容量的存儲設備，而這正是NAND閃存的優(yōu)勢所在。與此同時，由于數(shù)據(jù)訪問量的增加，移動設備的存儲容量也在不斷增長，高清晰度視頻就是需要大容量存儲支持的一個應用范例，這是因為以數(shù)據(jù)流方式傳輸此類內容難以實現(xiàn)出色的用戶體驗。這些需求使得高性能、小型化的存儲設備日漸受到歡迎，無論是在接收內容的移動設備上，還是在交付內容的存儲服務器上，它們均可找到用武之地。
英特爾和美光表示，通過在12月開始量產20納米制程64Gb NAND閃存產品，將有助于在2012年快速轉換到128Gb設備的生產。128Gb設備的樣品將在2012年1月份推出，緊接著在2012年上半年就可實現(xiàn)批量生產。這一里程碑式的轉換將會進一步增大產品存儲密度并大幅提升總體產量，同時也可幫助兩家公司的開發(fā)團隊獲得設計復雜存儲解決方案和改善未來相關技術所需的專業(yè)知識及經驗。
關于美光
美光科技公司是世界領先的先進半導體解決方案提供商。美光業(yè)務遍及全球，主要生產并銷售全系列的DRAM、NAND和NOR閃存，以及其它創(chuàng)新性存儲技術、封裝解決方案和半導體系統(tǒng)，適用于各種尖端的計算、消費、網(wǎng)絡、嵌入式和移動產品。美光普通股在納斯達克（NASDAQ）上市，代碼為MU。如欲了解有關美光科技公司的更多信息，請訪問：www.micron.com。
關于英特爾
英特爾（納斯達克：INTC）是計算創(chuàng)新領域的全球領先廠商。英特爾設計和構建關鍵技術，為全球的計算設備奠定基礎。
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