【21ic電子網(wǎng)原創(chuàng)】：三星將在2012 ISSCC會議上發(fā)布20nm制程的8GB相變內(nèi)存（PCM），重新點燃業(yè)界關于相變內(nèi)存是否可投入商用的爭論。
2011年12月5日到7日在華盛頓舉行的國際電子器件會議上，三星的工程師將先展示20nm制程的相變RAM單元。
與當前的技術水平相比，20nm制程的8G相變RAM是一大很大的飛躍。在2011年2月舉行的ISSCC會議上，三星展示了58nm制程的1G相變內(nèi)存，該內(nèi)存配備了一個低功耗的DDR非易失性內(nèi)存（LPDDR2-N）接口。
三星和美光科技公司（Micron Technology）是業(yè)界可提供非易失性相變內(nèi)存并投入商用的兩家公司。即便如此，目前該領域還是幾乎沒有關于相變內(nèi)存的報告。
此次三星打算推出一個工作電壓為1.8V、帶寬為40Mb/s的20nm制程的大型相變內(nèi)存，這使得相變內(nèi)存的性能提升至接近NAND閃存的水平。
不過，NAND閃存存儲和檢測多位元的能力使得閃存比PCM更具內(nèi)存容量優(yōu)勢。閃存也有望可以發(fā)展成以一種垂直堆疊多個內(nèi)存單元的形式來使內(nèi)存容量進一步微縮。
相變內(nèi)存的工作原理是通過檢測電阻加熱時硫屬化合物合金在非晶態(tài)和晶態(tài)之間的轉變所產(chǎn)生的電阻變化來存儲信息。業(yè)界一直希望這種技術可以將交叉點內(nèi)存的可微縮性優(yōu)勢與閃存的非易失性優(yōu)勢相結合，同時提供優(yōu)異的耐用性和尋址能力。
不過，PCM在部署上還面臨著很多障礙，不僅僅是超越NAND閃存的快速微縮能力。PCM的技術挑戰(zhàn)將繼續(xù)存在于存儲單元微縮熱效應的能力，以及來自鄰近單元的熱干擾問題。另外，考慮到PCM材料對溫度的敏感性，不知道預編程的相變內(nèi)存在印刷電路板生產(chǎn)過程中是否會受影響。
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