對抗威剛：美光DDR4大規(guī)模投產(chǎn)

威剛今天早些時(shí)候正式宣布了他們的首批DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內(nèi)存已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)，并在逐步提高產(chǎn)量。

美光表示，目前量產(chǎn)的是4Gb DDR4內(nèi)存顆粒，標(biāo)準(zhǔn)頻率為2133MHz，并特別與Intel合作，針對將在下半年發(fā)布的下一代服務(wù)器平臺Xeon E5-2600 v3進(jìn)行了優(yōu)化。

新平臺架構(gòu)基于22nm Haswell-EP，將取代去年9月份發(fā)布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向雙路服務(wù)器領(lǐng)域。

目前已經(jīng)發(fā)布的DDR4內(nèi)存頻率都只有2133MHz，這其實(shí)是DDR3也可以輕松達(dá)到的高度，自然不能凸顯新內(nèi)存的優(yōu)勢。美光稱，2400MHz DDR4正在試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2015年正式投產(chǎn)(也就是說今年別期望啥了)。

美光還透露，他們將陸續(xù)推出符合JEDEC DDR4標(biāo)準(zhǔn)的完整產(chǎn)品線，涵蓋RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各種規(guī)格，ECC也可選有無，到今年第三季度初的時(shí)候還會(huì)增加NVDIMM。

▲DDR3 VS. DDR4