力晶意圖控制旺宏的努力失敗

時(shí)間：2007-07-04 15:10:00

關(guān)鍵字：控制 BSP DRAM 半導(dǎo)體

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    據(jù)《Taipei Times》的報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)DRAM生產(chǎn)商力晶半導(dǎo)體控制當(dāng)?shù)赝瑯I(yè)旺宏半導(dǎo)體的努力失敗。

    力晶在由15人組成的旺宏董事會(huì)中僅拿下兩個(gè)席位。據(jù)報(bào)道，原來力晶希望能夠獲得八個(gè)席位。

    旺宏管理層擁有旺宏4.8%左右的股權(quán)。力晶在該公司中擁有5%的股權(quán)，據(jù)傳它通過子公司還擁有另外4%的股權(quán)。

    在這種情況下，力晶最近發(fā)起了不同尋常的行動(dòng)，要爭(zhēng)取處境不佳的旺宏的八個(gè)董事席位。換句話說，力晶想獲得該公司的控制權(quán)。

    力晶有多種理由對(duì)旺宏感興趣。象三星、海力士半導(dǎo)體等廠商一樣，力晶也受到DRAM市場(chǎng)下滑的沉重打擊。作為臺(tái)灣地區(qū)最大的DRAM廠商之一，力晶的5月銷售額比4月下降了15.8%。

    但力晶半導(dǎo)體仍然全力在DRAM領(lǐng)域打拼。今年稍早的時(shí)候，它與日本Elpida Memory組建了一家合資企業(yè)。與此同時(shí)，力晶也在開發(fā)NAND閃存等非DRAM產(chǎn)品。但它仍未能在NAND產(chǎn)業(yè)中看到希望，并且在該領(lǐng)域只擁有相對(duì)較少的專利。

    旺宏今年正在從2-bit/cell ROM轉(zhuǎn)向4-bit/cell，推出了XtraROM，這將幫助它維持與任天堂之間的長(zhǎng)期關(guān)系。

    旺宏還計(jì)劃繼續(xù)開發(fā)低密度NOR，在1.8V電壓下，最高密度約為128Mbit或256Mbit。但是，它的多數(shù)資源不久將專門用于NAND閃存。