X30受臺(tái)積電10nm量產(chǎn)影響，聯(lián)發(fā)科出走GF

 聯(lián)發(fā)科在去年將其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30押寶臺(tái)積電的10nm工藝，但是卻因?yàn)楹笳叩?0nm工藝量產(chǎn)延遲和良率問(wèn)題導(dǎo)致X30錯(cuò)失上市時(shí)機(jī)，P30傳聞也將被放棄，受此影響聯(lián)發(fā)科有意將部分訂單交給GF，避免完全受制于臺(tái)積電重蹈覆轍。

多家芯片企業(yè)臺(tái)積電的先進(jìn)工藝量產(chǎn)影響

高通為臺(tái)積電的長(zhǎng)期大客戶，不過(guò)2014年臺(tái)積電從三星手里搶到了蘋果的A8處理器訂單，臺(tái)積電采取了優(yōu)先照顧蘋果的策略，將其最先進(jìn)的20nm工藝優(yōu)先用于生產(chǎn)蘋果的A8處理器，這導(dǎo)致采用該工藝的高通的驍龍810量產(chǎn)時(shí)間過(guò)晚優(yōu)化時(shí)間不足，再加上當(dāng)時(shí)該芯片所采用的ARM高性能公版核心A57功耗過(guò)高，驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題導(dǎo)致高通在高端市場(chǎng)遭遇重大挫折，高端芯片出貨量同比下滑六成。

高通由此出走，將其高端芯片轉(zhuǎn)交三星半導(dǎo)體代工，當(dāng)然這也有它希望籍此獲得三星手機(jī)采用它更多的芯片。2015年底高通采用三星的14nmFinFET工藝生產(chǎn)的驍龍820性能和功耗優(yōu)良，大獲市場(chǎng)歡迎，去年其中端芯片驍龍625也轉(zhuǎn)用三星的14nmFinFET，近期其中高端芯片驍龍660同樣轉(zhuǎn)用三星的14nmFinFET，至此可以說(shuō)高通已將芯片訂單大量轉(zhuǎn)單三星離開臺(tái)積電。

華為海思受臺(tái)積電的16nmFinFET工藝影響。在高通離開后，臺(tái)積電轉(zhuǎn)而與華為海思合作開發(fā)16nm工藝，2014年臺(tái)積電量產(chǎn)16nm工藝不過(guò)由于能耗不佳只是用于生產(chǎn)華為海思的網(wǎng)通處理器芯片，沒(méi)有手機(jī)芯片企業(yè)采用該工藝;雙方繼續(xù)合作于2015年三季度量產(chǎn)16nmFinFET，不過(guò)臺(tái)積電同樣選擇優(yōu)先照顧蘋果的策略用該工藝生產(chǎn)A9處理器導(dǎo)致華為海思的麒麟950量產(chǎn)時(shí)間延遲。受此影響去年華為海思選擇采用16nmFinFET工藝生產(chǎn)其新一代高端芯片麒麟960，而不是等待臺(tái)積電的最先進(jìn)工藝10nm工藝。

聯(lián)發(fā)科在連續(xù)沖擊高端市場(chǎng)而不可得的情況下，去年其計(jì)劃在中端helio P35和高端芯片helio X30上全面采用臺(tái)積電的最先進(jìn)工藝10nm工藝，不過(guò)臺(tái)積電的10nm工藝直到今年初才量產(chǎn)隨后又遇上了良率問(wèn)題，這導(dǎo)致高端芯片helio X30上市后被大多數(shù)中國(guó)手機(jī)企業(yè)放棄，據(jù)說(shuō)三季度臺(tái)積電用10nm工藝全力生產(chǎn)蘋果的A11處理器而不會(huì)再有空余產(chǎn)能供給其他芯片企業(yè)，這也就導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科放棄helio P35，轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電產(chǎn)能充足的16nmFinFET的改良版12nmFinFET生產(chǎn)新款中端芯片helio P30。

聯(lián)發(fā)科將選擇同時(shí)由GF和臺(tái)積電代工

受helio X30上市不受中國(guó)大陸手機(jī)品牌歡迎以及目前除X30外沒(méi)有芯片可以支持中國(guó)最大運(yùn)營(yíng)商中國(guó)移動(dòng)要求支持的LTE Cat7技術(shù)所影響，聯(lián)發(fā)科今年一季度的芯片出貨量大減，季度出貨量跌穿1億片，營(yíng)收環(huán)比大跌17%，據(jù)IC Insights發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示今年一季度德國(guó)芯片企業(yè)英飛凌成功超越聯(lián)發(fā)科擠入全球半導(dǎo)體企業(yè)第十名，受此打擊后它開始考慮轉(zhuǎn)變自己的策略，以擺脫當(dāng)下在代工方面完全依賴臺(tái)積電的局面。

臺(tái)媒指聯(lián)發(fā)科內(nèi)部開始評(píng)估采用極受關(guān)注的格羅方德(簡(jiǎn)稱GF)22nm FD-SOI制程，該工藝有低功耗優(yōu)勢(shì)，相較臺(tái)積電和Intel全力開發(fā)的FinFET工藝又有成本優(yōu)勢(shì)，在低端手機(jī)芯片、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域有廣闊的空間。

格羅方德在中國(guó)大陸建設(shè)的半導(dǎo)體制造工廠就引入了22nm FD-SOI制程，希望在這個(gè)市場(chǎng)搶奪正高度受關(guān)注的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，與臺(tái)積電南京廠的16nmFinFET、中芯國(guó)際和聯(lián)電廈門工廠的28nm實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)。

聯(lián)發(fā)科采用格羅方德的22nm FD-SOI，估計(jì)是用于生產(chǎn)其低端的手機(jī)芯片，憑借低功耗和低成本優(yōu)勢(shì)應(yīng)對(duì)大陸芯片企業(yè)展訊的競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)它也有意用該工藝生產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)芯片。聯(lián)發(fā)科的物聯(lián)網(wǎng)芯片去年以來(lái)就在大陸火熱的共享單車市場(chǎng)奪得大量訂單，近期其有意并購(gòu)無(wú)線通信芯片廠絡(luò)達(dá)也是意在物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。

對(duì)于聯(lián)發(fā)科來(lái)說(shuō)，引入一個(gè)新的半導(dǎo)體代工企業(yè)也有助于它平衡與臺(tái)積電的關(guān)系，高通出走后臺(tái)積電其實(shí)也是相當(dāng)緊張的，去年就傳聞它希望吸引高通回歸采用它的10nm工藝，結(jié)果卻是高通進(jìn)一步將更多的芯片訂單轉(zhuǎn)往三星。聯(lián)發(fā)科貴為全球第二大手機(jī)芯片企業(yè)，在失去高通更多的芯片訂單后如果聯(lián)發(fā)科也將部分訂單轉(zhuǎn)往格羅方德無(wú)疑將讓臺(tái)積電更為緊張，將迫使臺(tái)積電思考當(dāng)前它優(yōu)先照顧蘋果這種策略的影響。

從這個(gè)方面來(lái)說(shuō)，聯(lián)發(fā)科未來(lái)將部分訂單轉(zhuǎn)往格羅方德是必然的，而眼下正是一個(gè)適當(dāng)?shù)臅r(shí)機(jī)。聯(lián)發(fā)科的做法也值得中國(guó)大陸芯片企業(yè)思考，它們顯然已采取行動(dòng)，華為海思已與中芯國(guó)際合作開發(fā)14nmFinFET工藝，展訊則選擇與Intel合作采用其相當(dāng)于臺(tái)積電的10nm工藝的14nmFinFET工藝生產(chǎn)芯片。