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[導讀]安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN)不斷提升產(chǎn)品性能,在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制(TVS)元件與肖特基二極管]現(xiàn)已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后

安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN)不斷提升產(chǎn)品性能,在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制(TVS)元件與肖特基二極管]現(xiàn)已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后,將有更多新型封裝的器件面世。

安森美半導體副總裁兼標準元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說:“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內(nèi)的功率耗散,該封裝是便攜與無線電路板設計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇,此類設計必須符合電源管理和保護的嚴格要求?!?BR>
SOD-123FL封裝器件可直接替代電路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封裝器件,同時具有更出眾的功率處理能力。比較而言,SOD-123FL封裝的瓦特/ mm2 熱性能比SOD-123提高達149%,比SMA提高達90.5%,比PowerMite提高達26.5%。SOD123FL厚度(最大為1mm)比標準SOD123封裝低25%或以上,非常適宜講究電路板空間的便攜應用。

SOD-123FL封裝獨有的引腳結(jié)構(gòu)以及具有最佳功效的線夾設計,允許低正向電壓。附帶線夾的內(nèi)部設計比引線粘結(jié)封裝具有更優(yōu)秀的浪涌電流能力,成為瞬態(tài)電壓抑制應用的理想封裝選擇。安森美半導體已在新型封裝內(nèi)采用低泄漏電流硅技術(shù),以更好地節(jié)省能量。

SOD123FL以環(huán)保、無鉛的封裝平臺提供更佳性能。該封裝采用100%錫(Sn)涂覆所有外表電鍍面。其在260° C下回焊,達到1級潮濕敏感度等級(MSL),同時與現(xiàn)有回焊工藝逆向相容。

SOD123FL器件
安森美半導體已推出50款具實效的SOD123FL封裝標準元件。目前可提供以下器件:
-SMF 5.0:5V至170V的200瓦TVS器件系列。

-MBR120VLSFT1:1安培、20伏肖特基功率整流二極管,具極低正向電壓,可延長便攜應用的電池壽命。

-MBR120LSFT1:1安培、20伏肖特基功率整流二極管,具低正向電壓,可延長可延長便攜應用的電池壽命。

-MBR120ESFT1:1安培、20伏肖特基功率整流管,具低漏電。

-MBR140SFT1:1安培、40伏肖特基功率整流管,具優(yōu)化的低正向電壓和低泄漏。

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