細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

市場(chǎng)調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2010年增長(zhǎng)一倍以上，達(dá)122%，但是2011年及2012年分別僅增長(zhǎng)10%及7.4%，速度明顯的放慢。

然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse， 它對(duì)2011年的設(shè)備看法， 由原先增長(zhǎng)20%，下調(diào)至下降10%， 反差之大讓人驚慌。并預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體設(shè)備將再次下滑至250億美元。它的理由是由于全球經(jīng)濟(jì)不確定的前景， 整個(gè)技術(shù)供應(yīng)鏈的市場(chǎng)需求不足，尤其是存儲(chǔ)器與代工市場(chǎng)的變?nèi)?。Muse認(rèn)為，未來的態(tài)勢(shì)與之前工業(yè)曾經(jīng)歷過的態(tài)勢(shì)非常相似， 如2004-2006的周期， 在2004年增長(zhǎng)60%之后， 緊接著2005年持平及2006年又一個(gè)19%的增長(zhǎng)。

利用簡(jiǎn)單的計(jì)算，Muse計(jì)算出 對(duì)于前道制造設(shè)備(WFE)Q3 2010的訂單為260-340億美元，意味著2011年WFE的訂單很快達(dá)到峰頂，從Q4 2010開始， 尤其是Q1 2011將繼續(xù)下降。

Muse著重提出有一件事， 由SICAS報(bào)告的數(shù)據(jù)， 從此次市場(chǎng)需求的小循環(huán)看，2010年上半年的產(chǎn)能僅很小量的增加，0，3%，而2009年的產(chǎn)能下降達(dá)11%，反映目前的產(chǎn)能遠(yuǎn)未回復(fù)到09年之前的水平。另外，SICAS還提出， 先進(jìn)制程(<60nm) 的產(chǎn)能僅增加近500kwspm(每月50萬片)， 所以沒有富余的產(chǎn)能， 尤其是尺寸縮小變得越來越困難(即浸入式光刻設(shè)備交貨延遲)， 這表示此次投資的增大將延續(xù)到2012年。Muse認(rèn)為推動(dòng)此波關(guān)鍵增長(zhǎng)是NAND， 而DRAM的市場(chǎng)需求隨著價(jià)格下降， 及智能手機(jī)和iPad的需求增長(zhǎng)會(huì)出現(xiàn)起伏， 但是能推動(dòng)代工業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。

總體上，Muse對(duì)于2011年看到4個(gè)趨勢(shì);

代工的設(shè)備訂單上升， 這是源自全球代工再次燃起競(jìng)爭(zhēng)， 如GlobalFoundries及Samsung欲與臺(tái)積電爭(zhēng)高低。

NAND市場(chǎng)需求上升， 有3-4個(gè)大型NAND閃存項(xiàng)目上馬， 將推動(dòng)投資升高。

韓國(guó)投資上升， 韓國(guó)半導(dǎo)體繼續(xù)盈利， 所以它們繼續(xù)投資DRAM， 更多的在技術(shù)升級(jí)，而不是產(chǎn)能增加。

臺(tái)灣地區(qū)有足夠多的資金。在Formosa Plastics的邦助下，南亞/Inotera繼續(xù)投資。

2011年投資下降的若干方面;

邏輯電路， 2011與2010年相比下降5%。原因是一方面在英特爾領(lǐng)導(dǎo)下的反周期投資及22nm推動(dòng)上升， 但是其它邏輯電路廠可能持平或下降。

其中英特爾的光刻設(shè)備是關(guān)鍵， 因?yàn)橛⑻貭枙?huì)從過去依Nikon訂單為主轉(zhuǎn)變?yōu)锳SML為主。另外方面看iPad能削弱多少Netbook(上網(wǎng)本)的訂單， 由此影響到英特爾的業(yè)績(jī)。(iPad使用三星代工的處理器)

代工，2011與2010年相比下降20%。

全球頂級(jí)代工的產(chǎn)能利用率將在Q42010至Q12011看到季節(jié)性減弱。Muse認(rèn)為，臺(tái)積電在fabless， 如Nvidia等減少訂單的影響下， 所以其2011年投資下降30%。臺(tái)積電CEO Morris張可能轉(zhuǎn)變投資策略， 這可能是受宏觀經(jīng)濟(jì)大環(huán)境的影響。對(duì)于聯(lián)電因受Xilinx的訂單轉(zhuǎn)向三星及臺(tái)積電的影響而下降投資。在另一方面，三星LSI將繼續(xù)增加投資， 及GlobalFoundries的投資可能小幅下降。

DRAM 2011與2010年相比下降15%。

因?yàn)镈RAM的價(jià)格持續(xù)波動(dòng)， 預(yù)計(jì)直到Q1 2011仍是季節(jié)性的弱勢(shì)。尤其是頂級(jí)供應(yīng)商如Samsung，Hynix及Micron都希望軟著陸。隨著它們加快采用4x技術(shù)， 其中1-2家的DDR3成本可能首先突破1美元/Gb。Micron將減少DRAM投資(Nanya/Inotera的產(chǎn)能利用率不高)， 但是Elpida/Rexchip/Powerchip的投資仍保持在2010年水平。在二線DRAM競(jìng)爭(zhēng)者的積極投資推動(dòng)下三星將繼續(xù)跟進(jìn)投資。

NAND閃存2011與2010年相比投資增長(zhǎng)19%。

下表可看到2011年各家的投資。NAND的價(jià)格起伏，Apple的產(chǎn)品需要更多的memory及三星正積極興建Line 16，WFE的投資達(dá)25億美元，Toshiba/Sandisk的WFE達(dá)20億美元及IM Flash的WFE達(dá)15億美元。