英特爾三星東芝聯(lián)手提升芯片制造工藝

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開(kāi)發(fā)新技術(shù)，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級(jí)別。

據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結(jié)成合作伙伴，并邀請(qǐng)大約10家半導(dǎo)體材料及其他領(lǐng)域的企業(yè)加入這一聯(lián)合體。

據(jù)稱(chēng)，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省有可能提供大約50億日元(約合6121萬(wàn)美元)作為研發(fā)啟動(dòng)資金。參與此項(xiàng)目的各家企業(yè)將再提供50億日元。

東芝和三星電子計(jì)劃利用新技術(shù)制造10納米級(jí)別的NAND閃存及其他芯片，英特爾則希望用它開(kāi)發(fā)更快的微處理器。