硅基GaN擔(dān)當(dāng)下一階段LED成本下降的重任

近日，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc K465i MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設(shè)備。

對此，Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研究硅氮化鎵，并商品化這項(xiàng)技術(shù)用于大批量制造氮化鎵功率器件，我們認(rèn)為是巨大的戰(zhàn)略研發(fā)上的勝利。”

硅基氮化鎵成為下一階段降低LED成本的利器

3月25日，臺積電旗下創(chuàng)投VTAF公司投資的美國Bridgelux(普瑞光電)正式對外宣布，該公司運(yùn)用「氮化鎵上硅」(GaN-On-Silicon)的LED技術(shù)，已達(dá)成每瓦135流明之效能。這代表Bridgelux在硅半導(dǎo)體基板LED技術(shù)方面，已成為業(yè)界第1家達(dá)到商品化等級效能的廠商。

根據(jù)Bridgelux研究，氮化鎵上硅LED的效能，足以媲美12至24個月前推出的頂級藍(lán)寶石基板LED。預(yù)估未來2至3年內(nèi)，應(yīng)用于商業(yè)市場的氮化鎵上硅LED產(chǎn)品，就能上市銷售。

同時Bridgelux還認(rèn)為，若能在直徑更大、成本較低廉的硅晶圓上生成氮化鎵，并采用與現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)線相容的制程，則LED磊晶產(chǎn)品之成本，可望將較現(xiàn)有制程有效降低75%。