盡管一直到2015下半年，臺積電 ( TSMC )都仍可能無法為ARM處理器提供可量產(chǎn)的FinFET技術(shù)，不過， ARM CEO Warren East表示，他并不擔(dān)心于英特爾 ( Intel )在制程技術(shù)方面領(lǐng)先于其他所有代工廠。
在FinFET 技術(shù)中，電晶體是垂直在晶圓表面上，這種方法被認(rèn)為能改善電晶體性能，并減少關(guān)閉狀態(tài)下的漏電流。英特爾已經(jīng)采用22nm FinFET CMOS制程進行量產(chǎn)，在此同時，臺積電則正試圖為客戶提高其平面28-nm CMOS產(chǎn)能。
然而， Ease表示， ARM和臺積電將在SoC技術(shù)競爭方面領(lǐng)先英特爾。“我們非常關(guān)注SoC的整合。就SoC而言，英特爾正在使用32nm high-k金屬閘極平面CMOS進行生產(chǎn)。而臺積電則使用28nm high-k金屬閘極。這在我看來并不是什么重大的技術(shù)領(lǐng)先，不過，你確實可以說臺積電在這方面是領(lǐng)先的。”
East 表示，英特爾的22nm FinFET主要用來量產(chǎn)電腦晶片，但要將該技術(shù)用在包含大量周邊電路的SoC上并不是件容易的事。
英特爾目前擁有智慧手機和平板電腦專用的Atom-based 32nm Medfield 處理器。英特爾也預(yù)計2013年開始用22nm FinFET CMOS 制程生產(chǎn)采用Silvermont 架構(gòu)的Atom 低功耗處理器。而Merrifield則很可能是首個采用22nm FinFET技術(shù)的高階智慧手機專用處理器。
而針對臺積電的16nm FinFET ，以及聯(lián)電(UMC)的20nm FinFET 制程，East表示，“目前還很難說何時針對ARM的FinFET技術(shù)能夠就緒。”
ARM處理器核心也支援由意法半導(dǎo)體(ST)開發(fā)的28nm全耗盡型SOI (FDSOI) ，目前正在轉(zhuǎn)移到GlobalFoundries，預(yù)計之后將再微縮到20nm制程。
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