聯(lián)電研發(fā)14nmFinFET技術(shù) 較28nm效能提升35～40%

聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場的最佳利器。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此一技術(shù)無論是微影機(jī)臺或人力研發(fā)等成本都相當(dāng)高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設(shè)計(jì)商不愿投資大筆資金導(dǎo)入，間接使20nm市場需求無法擴(kuò)大。

具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù)，盡管仍無法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本，但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能，降低IC設(shè)計(jì)商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術(shù)。

孫世偉進(jìn)一步指出，在IBMFinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)下，聯(lián)電將跳過20nm制程，直接跨入14nmFinFET制程技術(shù)，藉此為通訊與行動運(yùn)算領(lǐng)域客戶提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預(yù)計(jì)2014年初可完成驗(yàn)證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

然而，相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14nmFinFET，聯(lián)電量產(chǎn)時(shí)程顯然稍慢，如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強(qiáng)調(diào)，盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚，但相對FinFET制程所需的機(jī)臺制造技術(shù)亦較為成熟，且設(shè)備價(jià)格也較為便宜，再加上與IBM技術(shù)交流等助益，未來量產(chǎn)品質(zhì)與時(shí)程都將可較競爭對手更符合客戶需求。

另一方面，聯(lián)電28nm產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn)，并于明年第一季開始貢獻(xiàn)營收。孫世偉補(bǔ)充，首波28nmPorting產(chǎn)品在經(jīng)過幾個(gè)月元件及制程參數(shù)調(diào)整后，良率已獲得顯著提升，且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28nm后閘極(Gate-last)高介電質(zhì)金屬閘極(HKMG)制程的行動通訊產(chǎn)品，并陸續(xù)與相關(guān)客戶密切合作中。

據(jù)悉，目前聯(lián)電晶圓廠產(chǎn)能利用率為84%，其中，40nm先進(jìn)制程比重持續(xù)提升中，且平均銷售單價(jià)較上季攀升，并已刺激營業(yè)收入向上成長，而營收貢獻(xiàn)亦從第二季9%成長至第三季的13%，年底前則可望到達(dá)15%。

除標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外，聯(lián)電也開始提供適用于觸控晶片領(lǐng)域的解決方案--embeddedFlash特殊制程技術(shù)平臺，并已有數(shù)家主流觸控廠商開始采用，而這些特殊制程技術(shù)也可望為聯(lián)電營收成長注入全新動能。

此外，對于各大晶圓廠皆預(yù)期第四季與明年初營收成長將趨緩，孫世偉表示，現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中，聯(lián)電預(yù)估此波庫存調(diào)整將持續(xù)至明年初，景氣回溫的脈動將取決于明年總體經(jīng)濟(jì)、終端產(chǎn)品市場需求與新產(chǎn)品交替力道強(qiáng)弱;而公司未來將持續(xù)擴(kuò)大客戶層面，改善產(chǎn)品組合，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊。