美開發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流

作為現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，晶體管可以使用高度自動(dòng)化的過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。而低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)械方面，晶體管電路也正在取代電機(jī)設(shè)備，因?yàn)樗ǔ８阋?，更有效?/p>

而據(jù)最新報(bào)道，美國(guó)普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長(zhǎng)度縮減到了突破性的20納米。這個(gè)被稱為“4維”晶體管的新事物預(yù)告了引領(lǐng)半導(dǎo)體工業(yè)和未來計(jì)算機(jī)領(lǐng)域發(fā)展的潮流。該研究成果于12月8日至12日在舊金山舉行的國(guó)際電子元器件會(huì)議上以兩篇論文的形式提交。

平面結(jié)構(gòu)的硅芯片晶體管一直沿用了半個(gè)多世紀(jì)，直至去年英特爾公司研發(fā)出垂直3維結(jié)構(gòu)的晶體管，才宣告邁入了3維立體時(shí)代。但硅的電子遷移率存在局限性，普渡大學(xué)電氣和計(jì)算機(jī)工程教授葉培德(音譯)表示，若想進(jìn)一步改進(jìn)3維晶體管，很可能需要用其他材料來取代硅，其中最有前途的包括半導(dǎo)體材料砷化銦鎵。

新型“4維”晶體管中的3根微型納米線，正是由極具潛力、可望在10年內(nèi)取代硅的砷化銦鎵制成。納米線逐漸變細(xì)，形成了一個(gè)類似圣誕樹的錐形橫截面。葉培德形象地用樓房來比喻這種新工藝。“一個(gè)平房可以容納很多人，但樓層越多，容納的人就越多，晶體管也一樣。”他說，“將晶體管堆疊起來，就能帶來通過電流更多、操作速度更快的高速運(yùn)算。這種方法增加了一個(gè)全新的層面，因此我稱之為4維。”

晶體管通過“門”來實(shí)現(xiàn)開啟閉合，引導(dǎo)電流通過。“門”越小，意味著操作速度越快。在目前的3維硅晶體管中，“門”的長(zhǎng)度大約為22納米(十億分之一米)，這種微小尺度的“門”在傳統(tǒng)平面晶體管上是無法正常工作的。工程師們還計(jì)劃研發(fā)出更小長(zhǎng)度的“門”，但尺寸減小到不足10納米同時(shí)性能得到進(jìn)一步提升，可能就需要采用硅以外的新材料了。

創(chuàng)建更小的晶體管也需要找到一種新型絕緣體作為介質(zhì)層來使“門”關(guān)閉。據(jù)稱，當(dāng)“門”的長(zhǎng)度小于14納米時(shí)，傳統(tǒng)晶體管使用的介質(zhì)就無法正常工作，晶體管關(guān)閉時(shí)會(huì)發(fā)生漏電。

而此次開發(fā)出的新型晶體管中的納米線涂上了與以往不同的復(fù)合絕緣材料——一層4納米厚的鋁酸鑭，再加一層0.5納米厚的氧化鋁。葉培德說，新的超薄介質(zhì)讓研究人員研制的這種砷化銦鎵晶體管擁有長(zhǎng)度為20納米的“門”，這是一個(gè)里程碑式的成果，有助于研制速度更快、更緊湊和更高效的集成電路以及更輕、產(chǎn)生更少熱量的筆記本電腦。

而隨著“4維”晶體管的研制成功，速度更快、更緊湊和更高效的集成電路以及更輕、產(chǎn)生更少熱量的筆記本電腦也呼之欲出。