當前位置:首頁 > EDA > 電子設計自動化
[導讀]近日意法半導體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator:FDSOI)技術,使得作為智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip),在推動其低成本化和高性能化的微細化

近日意法半導體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator:FDSOI)技術,使得作為智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip),在推動其低成本化和高性能化的微細化技術又有了新選擇

SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術又有了新選擇。那就是最近意法半導體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator:FDSOI)技術。

如果采用FDSOI技術,無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術和設計技術,因此無需很多成本即可繼續(xù)推進微細化(圖1)。對于希望今后仍長期享受SoC微細化恩惠的設備廠商等來說,這將是很好的選擇。

在成本和性能方面優(yōu)于FinFET

FDSOI是用很薄的氧化膜(buriedoxide:BOX)將晶體管的管體(溝道)和Si基板隔開,將管體減薄至幾nm厚,從而使溝道完全耗盡的技術(圖2)注1)。這與溝道立體化以使其耗盡的三維晶體管(FinFET)一樣,能夠有效抑制隨著柵極長度變短、漏電流增大的短溝道效應。

注1)溝道耗盡是指變成電子和空穴等載流子基本不存在的狀態(tài)。

FinFET不具備而FDSOI具備的優(yōu)點是能夠跟原來的BulkCMOS技術一樣保持平面晶體管的構造。FDSOI與FinFET相比,“制造工序減少,工藝成本大幅降低,還能直接沿用BulkCMOS的設計技術”(意法半導體設計與服務執(zhí)行副總裁PhilippeMagarshack)。

制造FDSOI需要比Si基板貴的SOI基板,因此制造成本與BulkCMOS差不多。能使用原有設計技術是與需要大幅改變設計工具和電路布局的FinFET最大的區(qū)別。因為能減小電路設計方面的限制,集成度也容易提高。

 

 

圖1:14nm工藝以后仍保持平面晶體管

意法半導體將采用FDSOI技術使平面構造的晶體管延續(xù)到10nm工藝。2014年將量產(chǎn)14nm工藝技術,2016年將量產(chǎn)10nm工藝技術。

 

 

圖2:能夠兼顧低成本和高性能

采用FDSOI技術的晶體管能夠沿用BulkCMOS技術使用的很多制造工藝和設計技術(a)。工作性能超越BulkCMOS,驅動電壓低時性能尤為出色(b)。(圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)意法半導體的資料制作)

在工作速度和耗電量等性能方面,意法半導體的Magarshack認為“FDSOI比FinFET更有優(yōu)勢”。FinFET隨著溝道的立體化,寄生電容增大,工作速度容易降低,而FDSOI可以避免這一問題。另外,除柵極電極側以外,還可通過超薄的BOX層由基板側動態(tài)施加偏壓,因此閾值電壓的控制性好。在驅動電壓低、容易出現(xiàn)閾值電壓偏差問題的移動產(chǎn)品用SoC中,這一特點可以充分發(fā)揮作用。

確立管體膜厚的控制技術

不過,F(xiàn)DSOI在量產(chǎn)時間上落后于FinFET。美國英特爾已從2012年在22nm工藝微處理器中采用了FinFET,臺灣臺積電(TSMC)等代工企業(yè)也準備在2014年開始量產(chǎn)的16~14nm工藝中采用FinFET。

FDSOI原來面臨的課題是很難控制只有幾nm的管體厚度。由于管體厚度是決定閾值電壓等晶體管特性的參數(shù),因此每次技術更新?lián)Q代,都要減薄厚度。隨著微細化的發(fā)展,技術難度加大,難以進一步減薄。

意法半導體此次通過與法國知名SOI基板制造商Soitec公司、法國研究開發(fā)機構CEA-Leti及開發(fā)CMOS工藝的合作伙伴美國IBM等合作解決了這一問題,“確信能夠微細化到10nm工藝”(Magarshack)。

首先將應用于智能手機SoC

FDSOI技術將首先應用于智能手機及平板電腦的SoC。意法半導體的合資子公司瑞士ST-Ericsson將在2012年內推出的28nm工藝SoC中采用該技術注2)。

注2)針對該SoC的技術詳情已經(jīng)在2012年12月10~12日于美國舊金山舉行的“IEDM(InternationalElectronDevicesMeeting)2012”上公布。

意法半導體今后將在該公司針對數(shù)碼相機及游戲機等的SoC上采用FDSOI技術,并向美國GLOBALFOUNDRIES公司提供了制造技術,以便外部的設備廠商及半導體廠商采用該技術。

GLOBALFOUNDRIES公司計劃“從2013年7~9月開始提供28nm工藝的FDSOI技術”(該公司全球銷售與營銷執(zhí)行副總裁MichaelNoonen)。

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

9月2日消息,不造車的華為或將催生出更大的獨角獸公司,隨著阿維塔和賽力斯的入局,華為引望愈發(fā)顯得引人矚目。

關鍵字: 阿維塔 塞力斯 華為

加利福尼亞州圣克拉拉縣2024年8月30日 /美通社/ -- 數(shù)字化轉型技術解決方案公司Trianz今天宣布,該公司與Amazon Web Services (AWS)簽訂了...

關鍵字: AWS AN BSP 數(shù)字化

倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

關鍵字: 汽車 人工智能 智能驅動 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務能7×24不間斷運行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務中斷的風險,如企業(yè)系統(tǒng)復雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務連續(xù)性,提升韌性,成...

關鍵字: 亞馬遜 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,據(jù)媒體報道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

關鍵字: 騰訊 編碼器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關鍵字: 華為 12nm EDA 半導體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關鍵字: 華為 12nm 手機 衛(wèi)星通信

要點: 有效應對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務引領增長 以科技創(chuàng)新為引領,提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...

關鍵字: 通信 BSP 電信運營商 數(shù)字經(jīng)濟

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術學會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術創(chuàng)新聯(lián)...

關鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(集團)股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

關鍵字: BSP 信息技術
關閉
關閉