EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯電和英特爾(Intel)等半導體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應解決方案，以協(xié)助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進制程市場。
16/14奈米(nm)先進制程電子設計自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結構不僅提升晶片設計困難度(圖1)，更可能拖累產品出貨時程，為協(xié)助客戶能突破FinFET制程設計瓶頸，EDA廠商不約而同發(fā)布針對FinFET制程的最新解決方案，欲于新一波的晶片設計商機中迅速擴大市占。
與平面電晶體結構不同的FinFET制程，將帶給IC設計商另一波挑戰(zhàn)
例如益華(Cadence)即針對28奈米以下制程及FinFET制程發(fā)布最新版Virtuoso布局(Layout)設計套件，該套件具備電子意識設計(ElectricallyAwareDesign,EAD)功能，可以協(xié)助行動裝置積體電路(IC)設計商縮短產品設計周期并提高客制IC效能。
新思科技(Synopsys)則是攜手聯電宣布兩家公司的合作已獲得初步成果;聯電采用新思科技DesignWare邏輯庫IP組合和Galaxy實作平臺StarRC寄生參數提取工具，成功完成聯電第一個14奈米FinFET制程驗證工具設計定案。
益華客制IC與仿真(Simulation)產品管理資深團隊總監(jiān)WilburLuo(圖2)表示，半導體制程由28奈米演進至16/14奈米FinFET制程的過程中，IC設計商會面臨愈來愈嚴重的電致遷移(Electromigration,EM)問題以及布局依賴效應，加上先進制程設計規(guī)則多且復雜，將導致IC設計工程師在設計和驗證數十億電晶體的同時，也面臨龐大的上市時程壓力。
為協(xié)助客戶順利克服FinFET制程挑戰(zhàn)，益華發(fā)表新Virtuoso設計套件，該套件可針對電致遷移問題，在工程師繪制布局時提出分析及警告，讓工程師即時更正其設計;此外，Virtuoso設計套件亦具備在類比設計環(huán)境的仿真過程中擷取電流、電壓資訊，并傳送至布局環(huán)境的能力。
另一方面，Virtuoso設計套件可實現部分布局(PartialLayout)功能，亦即工程師可直接在布局設計過程中即時電子化分析、模擬、驗證內部連結，以確保其布局架構正確(圖2)。該設計功能讓工程師減少其設計往返(Iteration)時間，以及避免其晶片過度設計(OverDesign)，進而導致耗電高、影響晶片效能，及占位空間增加等問題。
在EDA設計工具的幫助下，工程師可在設計周期中提早發(fā)現問題并及時解決
Luo指出，博通(Broadcom)已于28奈米制程實際使用Virtuoso布局套件，而其通訊晶片在提高效能表現與縮小尺寸之余，更受惠于Virtuoso部分布局功能，而較上一代晶片縮短30%的設計時程。他認為，未來IC設計商在FinFET制程世代將面臨更嚴峻的挑戰(zhàn)，而Virtuoso設計套件的角色也將更加吃重。
另一方面，臺積電也宣布將擴大與益華在Virtuoso設計平臺上的合作關系，以設計和驗證其先進制程矽智財(IP)，同時，臺積電亦將以SKILL為基礎的制程設計套件(PDKs)擴大應用于16奈米制程，以實現Virtuoso設計平臺的色彩意識布局(Color-awareLayout)、先進繞線(AdvancedRouting)和自動對準(Auto-alignment)等功能。
事實上，不僅臺積電在FinFET制程布局上煞費苦心，臺灣另一家晶圓代工廠聯電，亦已于6月底完成首款14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案，而新思科技正是協(xié)助其設計的重要功臣。
新思提供關鍵IP聯電14nm制程達陣
聯電市場行銷副總郭天全表示，此次設計定案的成功，是聯電技術研發(fā)的重要里程碑，聯電的目標是提供客戶高競爭力的FinFET技術解決方案，協(xié)助客戶產品走在技術前端。聯電選擇新思科技做為此次重要合作伙伴，原因在于新思科技在FinFET領域的專業(yè)，以及在先進制程開發(fā)DesignWare矽智財的豐富經驗。此次合作成果將可大大嘉惠IC設計公司，為客戶帶來功耗、效能、成本等各面向的產品競爭力。
新思科技矽智財與系統(tǒng)行銷副總JohnKoeter表示，新思科技致力于開發(fā)開發(fā)通過驗證的FinFET矽智財與IC設計工具，可協(xié)助聯電認證關鍵制程和矽智財測試結構，藉此降低IC設計公司整合產品的風險，并且加速其產品的量產時程。
據了解，聯電將在2015年量產首批產品，緊追英特爾(Intel)及臺積電的腳步。事實上，由于FinFET制程具備高效能、低功耗，以及比平面互補式金屬氧化物半導體(CMOS)制程較低的數據保留電壓等優(yōu)勢，因而成為IC設計公司高度重視的先進制程節(jié)點。
新思科技制程驗證工具將提供初期數據，讓聯電得以調整其14奈米FinFET制程，藉以得到最佳化功耗、性能和裸晶(Die)面積。同時，新思科技驗證工具也提供制程檢視數據，讓聯電FinFET模擬模型與矽制程結果具更高關聯性。
新思科技DesignWareFinFET邏輯庫矽智財(IP)組合包括高速、高密度、低功耗的標準元件(StandardCell)，內含多重臨界電壓(VoltageThreshold)工具并支援多重通道長度，以降低漏電流(圖3)。
完善的IP組合是確保IC設計品質的重要工具
另一方面，新思科技StarRC(Resistance/Capacitance)寄生參數提取工具提供14奈米先進擷取技術，該技術奠基于FinFET元件特有的三維(3D)模型。StarRC工具具備可精準描述FinFET電晶體擷取資料的獨特能力，因此，其嵌入式解決工具可產生最高精度的電阻/電容寄生模型，讓IP開發(fā)商能夠優(yōu)化產品高效能及低功耗特色。
至于明導國際(MentorGraphics)也已于5月獲得臺積電認證16奈米FinFET驗證工具，并與三星(Samsung)共同策畫14奈米制程處理設計套件。
顯而易見，各大EDA廠及晶圓廠的目光已全面集中于16/14奈米FinFET制程的龐大商機，并且在先進制程的設計過程中，雙方不僅須加強自身產品競爭力，更須仰賴跟彼此的資源交換、互通有無，才能搶先于競爭對手之前交付客戶最理想的解決方案。
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