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[導(dǎo)讀]近日,Silicon Labs推出了一款全新的產(chǎn)品,基于MEMS的單晶片Si50x振蕩器,克服了此前的頻率控制產(chǎn)品中石英振蕩器高成本和難以小型化的缺點(diǎn)以及雙晶片MEMS振蕩器帶來的信號完整性和熱滯問題。Si50x基于Silicon Labs專

近日,Silicon Labs推出了一款全新的產(chǎn)品,基于MEMS的單晶片Si50x振蕩器,克服了此前的頻率控制產(chǎn)品中石英振蕩器高成本和難以小型化的缺點(diǎn)以及雙晶片MEMS振蕩器帶來的信號完整性和熱滯問題。Si50x基于Silicon Labs專利的CMEMS技術(shù),首次在大批量生產(chǎn)中把MEMS架構(gòu)直接構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓上,從而獲得完全集成的高可靠“CMOS+MEMS”單晶片解決方案。

Silicon Labs副總裁兼時序產(chǎn)品總經(jīng)理Mike Petrowski介紹,Si50x與現(xiàn)有的頻率控制解決方案相比,具有更小尺寸、更高可靠性、更高集成度。此系列產(chǎn)品共包括四類:具有輸出使能功能的單頻率振蕩器Si501、具有OE和頻率選擇功能的雙頻率振蕩器Si502、具有FS技術(shù)的四頻率振蕩器Si503和可實時進(jìn)行頻率精確調(diào)整的完全可編程振蕩器Si504。

Mike對于Si50x為什么會具有高可靠性做了詳細(xì)的解釋,其一Si50x采用SiGe材料,當(dāng)環(huán)境溫度升高時,芯片上的SiGe會變硬,而其中的氧化槽則會變軟,這一軟一硬的相互被動補(bǔ)償,可以使器件的頻率漂移接近于0;其二整個MEMS直接架構(gòu)于CMOS之上,非常接近的距離使溫度傳感器的工作效率更高,響應(yīng)速度更快;其三,固定方式的不同,傳統(tǒng)的晶體振蕩器只有2個錨點(diǎn),而Si50x由周圍四個加中心一個的5錨點(diǎn)固定,更耐得住沖擊和振動。

Mike介紹說,兩年前公司就開始和中芯國際合作開發(fā)采用CMEMS技術(shù)的生產(chǎn)線,實現(xiàn)了MEMS振蕩器可以在CMOS工廠大批量生產(chǎn)制造,從而大幅降低了生產(chǎn)成本。初次采用CMEMS技術(shù)生產(chǎn)出來的Si50x產(chǎn)品經(jīng)過試驗具備非常出色的性能,未來會將其用于其他產(chǎn)品系列的生產(chǎn)中,也會帶來性能的大幅提升。

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