恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

時(shí)間：2012-08-02 09:22:34

關(guān)鍵字：封裝恩智浦晶體管 DFN1006

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[導(dǎo)讀]中國(guó)上海，7月30日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無(wú)引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管

中國(guó)上海，7月30日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無(wú)引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號(hào)單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品，均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封裝——是業(yè)界提供最小晶體管封裝(DFN1006)最豐富的產(chǎn)品組合。

新的產(chǎn)品組合包括大量的通用晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管，例如符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的BC847和BC857，以及PMBT3904和PMBT3906。同時(shí)，還提供42種可選配電阻晶體管(RETs)，涵蓋所有標(biāo)準(zhǔn)電阻組合。

除了這些標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，恩智浦還提供高能效BJTs和MOSFETs，滿(mǎn)足所有行動(dòng)通訊應(yīng)用對(duì)低功耗和更長(zhǎng)電池壽命的需求。晶體管1 APBSS2515MB的低飽和電壓，可處理高達(dá)1A的峰值電流，并具有低至150 mV的超低飽和電壓。PMZB290UN等20~60V MOSFET具有低至250 mΩ的極低導(dǎo)通電阻，可降低導(dǎo)通損耗。

在智能手機(jī)、MP3播放器、平板計(jì)算機(jī)和電子閱讀器等由電池驅(qū)動(dòng)的小型超薄電子設(shè)備上，這些產(chǎn)品是各種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)功能的理想之選。它們同樣適合類(lèi)似于空間受限的非行動(dòng)通訊型應(yīng)用，如LED電視機(jī)和汽車(chē)儀表盤(pán)。

最新DFN1006B-3產(chǎn)品組合的電氣性能和散熱性能與采用SOT23、SOT323或SOT416等更大封裝的等效設(shè)備相同，可作1:1的替換。這就節(jié)省了寶貴的PCB空間，因?yàn)槌叽鐬?x0.6 mm(0402英寸)的無(wú)引腳封裝比SOT23要小10倍且高度還小于其一半。1006 mm

恩智浦半導(dǎo)體的雙極性小信號(hào)晶體管產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Joachim Stange表示：“在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的小型化競(jìng)賽中，DFN1006可幫助工程師搶得先機(jī)，并且很有可能取代SOT23成為新標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)提供業(yè)界最豐富的DFN1006產(chǎn)品組合以及大量供貨的能力，我們已為支持客戶(hù)順利過(guò)渡到采用這種超小型晶體管封裝做好了準(zhǔn)備。”