Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎

時間：2011-10-10 09:22:34

關(guān)鍵字： MOSFET Vishay TOP DC電源

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[導(dǎo)讀] 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。《今

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。

《今日電子》的編輯從開創(chuàng)性的設(shè)計、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進步、性價比顯著提高三個方面，對前一年發(fā)布的數(shù)百款產(chǎn)品進行評選。Vishay的SiR662DP功率MOSFET憑借在DC/DC應(yīng)用上的創(chuàng)新和成功示范，榮獲該獎項。

《今日電子》Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的頒獎儀式在9月8日北京國賓酒店舉行的2011電源技術(shù)研討會期間舉行。

Vishay公司北京辦公室的銷售經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)取該獎項。

SiR662DP的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，可降低能耗，尤其是重負(fù)載條件下，而低導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積(優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM)能夠降低高頻和開關(guān)應(yīng)用中的開關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機模式下。器件的高效率使設(shè)計者能夠提高系統(tǒng)的功率密度，在更加綠色環(huán)保的解決方案中實現(xiàn)更低的功率損耗。