飛思卡爾推出RF功率LDMOS晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出RF功率LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向UHF廣播電視應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

作為飛思卡爾RF功率LDMOS晶體管系列的最新成員，MRFE6VP8600H與其上一代產(chǎn)品相比輸出功率提高39%，其設(shè)計(jì)在滿足ATSC、DVB-T和ISDB-T等許多主要數(shù)字傳輸標(biāo)準(zhǔn)要求的同時(shí)帶來(lái)最高性能。MRFE6VP8600H 為電視發(fā)射機(jī)制造商和廣播公司提供了顯著優(yōu)勢(shì)。 例如，晶體管可以在完整廣播頻段中交付25W的線性功率(超過(guò)600W峰值包絡(luò)功率)，并可以帶來(lái)極高的效率(通常在860 MHz時(shí)為30%，當(dāng)采用Doherty配置時(shí)可高達(dá)45%)。

UHF頻段范圍從470 MHz到860 MHz，廣播公司使用這些頻段無(wú)線傳輸電視信號(hào)。目前，絕大多數(shù)采用數(shù)字廣播的電視臺(tái)都在使用UHF頻段。

飛思卡爾RF部門副總裁兼總經(jīng)理Ritu Favre表示，“新的MRFE6VP8600H再次加強(qiáng)了飛思卡爾提供客戶發(fā)展所需的卓越性能和效率的持續(xù)承諾，即便在面對(duì)極為嚴(yán)格的市場(chǎng)要求的行業(yè)中亦是如此。該新產(chǎn)品的推出強(qiáng)調(diào)了飛思卡爾具有標(biāo)志性的運(yùn)營(yíng)方針，即利用其對(duì)網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)的深入了解，通過(guò)智能、系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)流程實(shí)現(xiàn)性能和效率收益。”

MRFE6VP8600H具有更高的RF輸出和效率，可降低晶體管的總數(shù)和指定輸出功率所需的合成階段，與上一代固態(tài)系統(tǒng)相比，可幫助簡(jiǎn)化發(fā)射器設(shè)計(jì)并提高可靠性。 與上一代產(chǎn)品相比，基于MRFE6VP8600H的發(fā)射器使用的電量最高可節(jié)省15%，從而可節(jié)省大量運(yùn)營(yíng)成本。

MRFE6VP8600H是同類產(chǎn)品中最耐用的RF功率LDMOS晶體管。 當(dāng)由其全額定RF輸出功率驅(qū)動(dòng)時(shí)，該設(shè)備在所有相位角驅(qū)動(dòng)超過(guò)65:1的阻抗失配(VSWR)時(shí)都不會(huì)出現(xiàn)性能下降，即使由兩倍的額定輸入功率驅(qū)動(dòng)。 晶體管的耐用性使它在天線結(jié)冰、輸電線路故障或操作錯(cuò)誤等不利條件下能夠更加可靠，即便是在由預(yù)失真系統(tǒng)創(chuàng)建的驅(qū)動(dòng)峰值出現(xiàn)時(shí)。

另外，MRFE6VP8600H可輕松應(yīng)對(duì)由高選擇性信道濾波器導(dǎo)致的頻段外反射負(fù)載條件，以及采用DVB-T (8k OFDM)等高階調(diào)制技術(shù)的數(shù)字傳輸方案的高峰均比(PAR)特性。 MRFE6VP8600H的增強(qiáng)耐用特點(diǎn)也使其可以采用經(jīng)簡(jiǎn)化的發(fā)射器保護(hù)電路。

MRFE6VP8600H的主要規(guī)格包括：

• 860 MHz時(shí)具有125W平均RF輸出功率(DVB-T [8k OFDM] 信號(hào))，19.3 dB 增益和30%的效率。

• 600 W峰值RF功率。

• 可以采用Class AB、Doherty或漏端調(diào)制放大器架構(gòu)設(shè)計(jì)，消除了對(duì)于針對(duì)每種架構(gòu)而優(yōu)化的專用設(shè)備的需求。

• 集成靜電放電(ESD)保護(hù)在裝配過(guò)程中針對(duì)出現(xiàn)的雜散電壓提供電阻。

• 當(dāng)作為Doherty放大器的峰值階段運(yùn)行時(shí)，-6V至+10V的擴(kuò)展負(fù)柵-源電壓范圍可提高性能。

• 封裝在飛思卡爾的NI-1230螺栓式陶瓷氣腔封裝(MRFE6VP8600H)或NI-1230S焊接式陶瓷氣腔封裝中(MRFE6VP8600HS)。