ARM完成全球第一個(gè)10nm工藝芯片，明年投產(chǎn)
[導(dǎo)讀] ARM今天宣布，已經(jīng)與臺(tái)積電合作完成了全球第一個(gè)基于10nm工藝的芯片的流片工作，而且使用了尚未宣布的頂級(jí)新架構(gòu)“Artemis”。
ARM今天宣布，已經(jīng)與臺(tái)積電合作完成了全球第一個(gè)基于10nm工藝的芯片的流片工作，而且使用了尚未宣布的頂級(jí)新架構(gòu)“Artemis”。
事實(shí)上，這次流片早在2015年12月就完成了，ARM預(yù)計(jì)最近就能拿到從工廠返回的芯片。
這顆測試芯片將是ARM、臺(tái)積電共同的測試平臺(tái)，用來調(diào)試相關(guān)工具和制造工藝，從而在性能、功耗、面積方面獲得最優(yōu)成果。
芯片內(nèi)集成了四個(gè)Artemis CPU核心，頻率有1.82/2.34/2.49/2.7GHz等不同檔次，同時(shí)還有當(dāng)代Mali GPU，但只有一個(gè)核心，因?yàn)橹皇怯脕碚故拘Ч选?/p>
當(dāng)然了，芯片內(nèi)還有其他各種IP模塊、IO接口，用來檢驗(yàn)新工藝。
臺(tái)積電這里使用的新工藝是10FF版本，號(hào)稱晶體管集成度可比16nm提升最多2.1倍，還能獲得11-12%的性能提升，或者在同頻率下功耗降低30%。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年底投產(chǎn)10nm工藝，ARM Artemis架構(gòu)也有望在近期正式發(fā)布，取代現(xiàn)在的Cortex-A72。
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