高通宣布：10nm驍龍835大招來了!

 高通在官方推特預(yù)告，將在CES 2017上對驍龍835進(jìn)行宣講，CEO莫倫科夫的Keynote定于1月6日早9點(北京時間1月7日凌晨1點)在賭城的威尼斯人酒店舉行。

結(jié)合高通官推之前的信息，本次Keynote重點很可能不會涉及核心的架構(gòu)、主頻等，著力點也許會在VR表現(xiàn)、10nm、X16基帶、QC4.0等。

按照目前高通給出的資料，驍龍835性能比驍龍820/821提升了27%，猜測主頻高達(dá)2.8GHz~3GHz。

不少爆料人指出，驍龍835將采用8核設(shè)計，目前小米6、LG G6、三星Galaxy S8都有望成為首波機(jī)型。