半導(dǎo)體工藝制程，英特爾野心太大，反而因此落后臺(tái)積電!

一位外資分析師說：「7 奈米等于是蘋果的代名詞，所以 7 奈米好，蘋果未來也不會(huì)差。 」10 月 18 日，臺(tái)積電執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家主持第三季法說會(huì)時(shí)表示，7 奈米需求超乎預(yù)期，這項(xiàng)好消息一掃外界對(duì)于蘋果 iPhone 銷售前景的陰霾，對(duì)臺(tái)灣的蘋果供應(yīng)鏈類股將是一大利多。

在中美貿(mào)易戰(zhàn)陰晴不定、臺(tái)股在萬點(diǎn)震蕩的當(dāng)下，10 月 18 日，臺(tái)積電舉辦眾所矚目的第三季法說會(huì)。 董事長(zhǎng)劉德音本次沒有出席法說，首度由執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家、財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅共挑大梁。

會(huì)中訊息好壞參雜。 然而，臺(tái)積電第四季的營(yíng)收估計(jì)季增 10%~11%，則是超乎市場(chǎng)預(yù)期的好消息。

主要?jiǎng)恿碜越衲昴曛袆傔M(jìn)入量產(chǎn)、用于制造最新款 iPhone 處理器的的最新 7 奈米制程，臺(tái)積電預(yù)期 7 奈米制程對(duì)今年第四季的營(yíng)收貢獻(xiàn)將超過 20%。

事實(shí)上，整個(gè)法說會(huì)中，只要一說起 7 奈米，臺(tái)積電執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家都是眉開眼笑。 「需求非常強(qiáng)勁，」魏哲家興奮的說，「產(chǎn)能拉升(ramp)的速度，快得超乎預(yù)期」。

何麗梅在會(huì)后對(duì)《天下》解釋，主要是「客戶變多了，比我們規(guī)劃產(chǎn)能的時(shí)候來的多。 」她因此也對(duì) 7 奈米信心十足，認(rèn)為對(duì) 2019 年的營(yíng)收貢獻(xiàn)，「一定超過 20% 很多，會(huì)是(營(yíng)收占比)最大的 node(技術(shù)節(jié)點(diǎn))」。

臺(tái)積電 7 奈米超乎預(yù)期的好消息，讓業(yè)界松了一大口氣。

一掃外界對(duì)蘋果 iPhone 銷售前景的陰霾

一位外資分析師會(huì)后表示，目前蘋果占了 7 奈米用量的九成以上，「7 奈米等于蘋果的代名詞，所以 7 奈米好，蘋果未來也不會(huì)差。 」也就是說，臺(tái)積電本次法說基本上掃除外界對(duì)于蘋果 iPhone 銷售前景的陰霾。 對(duì)臺(tái)灣的蘋果供應(yīng)鏈類股將是一大利多。

這位外資分析師并表示，現(xiàn)在包括 AMD、比特幣挖礦業(yè)者、海思都積極追加 7 奈米訂單，「但不一定搶得到產(chǎn)能。 」

▲ 未來一年，全世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程，臺(tái)積電會(huì)處于獨(dú)家供應(yīng)的壟斷地位。

臺(tái)積電高階制程客戶突然變多的原因，《天下》曾于 9 月的《狠甩英特爾、獨(dú)吞新 iPhone 芯片肥單》一文指出，主要是格羅方德與英特爾兩大對(duì)手，突然一個(gè)宣布退出先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)，一個(gè)宣布 10 奈米(因?yàn)楦骷叶x不同，英特爾的 10 奈米制程與臺(tái)積電的 7 奈米同級(jí))制程產(chǎn)品上市時(shí)間再度延后，且一延就延到 2019 年底。

也就是說，至少在未來的一年間，在全世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程，臺(tái)積電處于獨(dú)家供應(yīng)的壟斷地位。

其中，半導(dǎo)體業(yè)的超級(jí)天王、過去技術(shù)總是遙遙領(lǐng)先的英特爾，這回竟然在 10 奈米這關(guān)一卡就卡了 4 年之久，遠(yuǎn)超過正常摩爾定律的 1.5~2 年時(shí)程，究竟是怎么回事?

《天下》10 月初在美國(guó)采訪一位不愿具名的英特爾董事會(huì)成員，首度揭開謎團(tuán)。

英特爾野心太大，反而因此落后

他表示，根據(jù)原始的摩爾定律，每個(gè)新技術(shù)世代的電路密度應(yīng)該是前一代的兩倍，但臺(tái)積電卻「投機(jī)取巧」。 根據(jù)官方數(shù)據(jù)，臺(tái)積電 7 奈米的邏輯電路密度只達(dá)到前一代 10 奈米制程的 1.6 倍。

而英特爾一開始野心太大，希望滿足最嚴(yán)苛的摩爾定律，大幅縮小晶體管體積的同時(shí)，還在制程導(dǎo)入全新材料，希望一步到位，讓產(chǎn)品性能大幅超前對(duì)手，一舉甩開臺(tái)積電。

▲ 英特爾原本希望透過新技術(shù)，一舉甩開臺(tái)積電，卻因?yàn)橐靶奶?、低估難度，導(dǎo)致預(yù)定時(shí)程一再跳票，反而因此落后臺(tái)積電。 (Source：Flickr/Pascal Volk CC BY 2.0)

英特爾在 2017 年的美國(guó) IEDM 研討會(huì)，曾宣布將部分導(dǎo)線層材料從原先的銅換成鈷，周邊的低介電材質(zhì)也將更換，可以大幅提升性能及耐用度。

「鈷制程」將是近年來半導(dǎo)體制程的一大技術(shù)變革，就如同十多年前 130 奈米制程，臺(tái)積電順利將鋁導(dǎo)線換成銅材質(zhì)，因此成功甩開聯(lián)電的「銅制程」。 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，新技術(shù)通?？赏麕懋a(chǎn)業(yè)洗牌。

結(jié)果，英特爾「雙管齊下」策略的量產(chǎn)難度比預(yù)期高上許多，導(dǎo)致預(yù)定時(shí)程一再跳票，反而落后臺(tái)積電。 「他們學(xué)到教訓(xùn)，下次野心不會(huì)這么大，」英特爾董事說。

一位外資分析師也證實(shí)此事。 他表示，英特爾一開始訂的微縮倍率甚至略高于兩倍，但因?yàn)閷以嚥怀桑罱呀?jīng)將標(biāo)準(zhǔn)放寬，因此傳出可能提早在明年中量產(chǎn)。 但產(chǎn)品的性能可能僅與臺(tái)積電 7 奈米接近。

然而，一旦英特爾度過難關(guān)，因?yàn)橐呀?jīng)過導(dǎo)入新材料的學(xué)習(xí)曲期，下一代產(chǎn)品仍有可能反敗為勝，「英特爾 7 奈米會(huì)比臺(tái)積電 5 奈米強(qiáng)很多」，這位英特爾董事透露。