泛銓：5納米TEM試片制備能力領(lǐng)先

微縮技術(shù)不斷演進(jìn)，TEM試片制備厚度是TEM分析能力的重要指針，泛銓的超薄5奈米TEM試片制備能力，居同業(yè)之冠。

技術(shù)長(zhǎng)陳榮欽博士表示，材料分析產(chǎn)業(yè)只要有錢、愿意投資，引入先進(jìn)儀器并不難，但單憑設(shè)備并無(wú)法建立絕對(duì)的競(jìng)爭(zhēng)力;他強(qiáng)調(diào)，好的分析設(shè)備須配合優(yōu)異的試片制備技術(shù)以及精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)判讀能力，這是分析質(zhì)量的關(guān)鍵。

泛銓科技董事長(zhǎng)柳紀(jì)綸表示，南科分公司重資引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，陣容浩大，將以「技術(shù)x質(zhì)量x服務(wù)」為優(yōu)勢(shì)，迎接營(yíng)運(yùn)黃金世代。 翁永全/攝影

以如何使低介電材料(Low-k)，不因電子束的照射導(dǎo)致縮小、變形為例，一般分析業(yè)者不外乎減少電子束照射能量與提升樣品強(qiáng)度兩樣方式，而泛銓研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有獨(dú)步全球的技術(shù)，制備低介質(zhì)材料樣品的收縮比例達(dá)到業(yè)界最好;此外， 較軟的材質(zhì)「光阻」也是業(yè)界在分析上相當(dāng)棘手的材料，特別在最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)上。 半導(dǎo)體制程進(jìn)到7奈米之后，極紫外光(EUV)光刻微影是關(guān)鍵技術(shù)，但曝光光阻可能產(chǎn)生的缺陷是需要克服的問(wèn)題，泛銓領(lǐng)先世界發(fā)展的檢測(cè)光阻缺陷技術(shù)，能在不損傷光阻材料情況下制備出完整樣品，以便于分析曝光缺陷和制程問(wèn)題， 協(xié)助半導(dǎo)體廠改良制程。

有鑒于全球積極發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)，大廠間的角力競(jìng)爭(zhēng)與窺探，輕則影響到公司的興衰，重則可能動(dòng)搖國(guó)本。 柳紀(jì)綸表示，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造商而言，芯片布局(layout)、使用材料等數(shù)據(jù)為制程命脈，需要長(zhǎng)期留存，絕對(duì)不能外泄。 泛銓認(rèn)為，工程技術(shù)能力超群固然重要，信息安全更是重要的環(huán)節(jié)。

為妥善保全客戶的數(shù)據(jù)，泛銓特別增設(shè)信息長(zhǎng)職務(wù)以及營(yíng)運(yùn)保全處(BOSD)，并規(guī)劃滴水不漏的資安流程，嚴(yán)格執(zhí)行，獲得重要客戶認(rèn)同。 泛銓實(shí)驗(yàn)室無(wú)論客戶或員工，甚至泛銓董事長(zhǎng)、總經(jīng)理及副總等一線主管，進(jìn)出實(shí)驗(yàn)室均需檢查背包物品，相機(jī)、筆電及手機(jī)鏡頭貼上保密貼。 實(shí)驗(yàn)室內(nèi)多數(shù)區(qū)域列為嚴(yán)管禁地，只有被授權(quán)人員才能進(jìn)出。