我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)密集落地，競(jìng)爭(zhēng)壓力加大

近年，全球集成電路制造企業(yè)紛紛在中國(guó)大陸新建或擴(kuò)產(chǎn)生產(chǎn)線，尤其是2017年全球集成電路代工企業(yè)資本支出創(chuàng)歷史新高，達(dá)到233.94億美元，同比增長(zhǎng)13%，使得2018年和2019年成為新線投產(chǎn)和量產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)的關(guān)鍵年份。根據(jù)賽迪智庫(kù)集成電路研究所的統(tǒng)計(jì)，截至2018年年底，臺(tái)積電南京廠投產(chǎn)后，中國(guó)大陸已量產(chǎn)的12英寸集成電路生產(chǎn)線達(dá)到10條，產(chǎn)能超過51萬(wàn)片/月。2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、無(wú)錫華虹、中芯國(guó)際、臺(tái)積電等產(chǎn)線按期投產(chǎn)/擴(kuò)產(chǎn)將進(jìn)一步提升產(chǎn)能，根據(jù)已知材料分析，本輪產(chǎn)線建設(shè)浪潮仍未投產(chǎn)的新增產(chǎn)能將達(dá)到86.5萬(wàn)片/月。產(chǎn)線密集投產(chǎn)后，中國(guó)企業(yè)將在產(chǎn)品、技術(shù)、人才和供應(yīng)鏈等多方面與全球領(lǐng)先的公司展開更為激烈的競(jìng)爭(zhēng)，期間必然伴隨諸多新的考驗(yàn)。

新增產(chǎn)能遭遇應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩 產(chǎn)能利用率勢(shì)必回落

一方面，手機(jī)、PC等傳統(tǒng)應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力。2018年，國(guó)內(nèi)計(jì)算機(jī)產(chǎn)量同比下滑1%，手機(jī)產(chǎn)量同比下降4.1%，其中智能手機(jī)同比下降0.6%。隨著PC應(yīng)用市場(chǎng)萎縮，4G手機(jī)市場(chǎng)逐漸飽和，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力變革。另一方面，5G、人工智能等新興應(yīng)用市場(chǎng)尚未規(guī)?；d起。2019年至2020年5G正式商用這段期間，將是手機(jī)市場(chǎng)青黃不接，同時(shí)面臨行業(yè)大洗牌的時(shí)期，整體市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)不足也將導(dǎo)致國(guó)內(nèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力。

此外，芯片企業(yè)在2018年庫(kù)存增加同樣會(huì)造成短時(shí)間內(nèi)制造訂單下降。中芯國(guó)際財(cái)報(bào)顯示，其產(chǎn)能利用率在2018年第三季度達(dá)到94.7%的高峰后，第四季度已經(jīng)開始回落。目前看來(lái)，2019年上半年的應(yīng)用市場(chǎng)需求偏弱，明顯的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)將在第三季度出現(xiàn)，從而有效推動(dòng)產(chǎn)能利用率回升。產(chǎn)線密集落地后，國(guó)內(nèi)用戶無(wú)法填補(bǔ)所有新增產(chǎn)能，制造企業(yè)需要提前尋找市場(chǎng)，加速融入全球產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈，通過向國(guó)際用戶提供產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)可持續(xù)增長(zhǎng)。

新增產(chǎn)能工藝制程集中 目標(biāo)市場(chǎng)潛在競(jìng)爭(zhēng)壓力大

從各工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能看，2018年，28nm以上工藝產(chǎn)能仍占全球總產(chǎn)能的約90%，其中0.18μm工藝產(chǎn)能最高，約占全球的20%。未來(lái)幾年，雖然7nm是產(chǎn)能增長(zhǎng)最快的工藝制程，但成熟工藝仍占據(jù)重要市場(chǎng)地位。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，除中芯國(guó)際28nm擴(kuò)產(chǎn)、14nm工藝驗(yàn)證和臺(tái)積電南京廠16nm工藝擴(kuò)產(chǎn)外，國(guó)內(nèi)多數(shù)新增產(chǎn)能主要集中在65nm~90nm的特色工藝和模擬工藝。同時(shí)，產(chǎn)線新增主體較多，2018年以新主體開建的生產(chǎn)線超過5條。產(chǎn)線建成后，主體分散和布局分散容易形成同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)，并造成資源浪費(fèi)。此前MOSFET市場(chǎng)人士就有擔(dān)憂，擔(dān)心未來(lái)國(guó)內(nèi)12英寸代工廠投產(chǎn)造成產(chǎn)品供過于求，引發(fā)產(chǎn)品價(jià)格下降。

此外，新建產(chǎn)線在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力方面也不占優(yōu)勢(shì)。例如在成本上，臺(tái)積電的28nm工藝在2010年已開始投產(chǎn)，其生產(chǎn)設(shè)備早已完成折舊，新建產(chǎn)線僅設(shè)備折舊一項(xiàng)就加高了產(chǎn)品成本。針對(duì)這一情況，未來(lái)應(yīng)充分發(fā)揮產(chǎn)業(yè)主體集中和區(qū)域集聚的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，鼓勵(lì)企業(yè)通過市場(chǎng)手段合理調(diào)配產(chǎn)能和發(fā)展布局。

工藝多樣化趨勢(shì)下的深耕能力決定企業(yè)深層次競(jìng)爭(zhēng)力

工藝制程的演進(jìn)一定是推動(dòng)芯片在性能、功耗和面積上的全面提升，隨著技術(shù)演進(jìn)，摩爾定律推進(jìn)已經(jīng)出現(xiàn)一定程度的延遲。一方面，先進(jìn)工藝的開發(fā)難度越來(lái)越大，英特爾10nm工藝因此不斷推遲而被臺(tái)積電反超;另一方面，設(shè)計(jì)制造成本也越來(lái)越高，能夠承擔(dān)7nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用的客戶減少，促使格羅方德和聯(lián)電放棄了7nm工藝開發(fā)。

因此，各大集成電路制造廠紛紛將目光投向充分挖掘工藝制程的性能。臺(tái)積電在率先推出7nm工藝后，又推出了7nm+工藝;三星在量產(chǎn)10nm LPP工藝后，又推出了名為10LPU的第三代10nm工藝，從另一個(gè)角度實(shí)現(xiàn)性能提升。格羅方德在2018年宣布將專注射頻、嵌入式存儲(chǔ)器、低功耗定制產(chǎn)品在14nm、12nm FinFET工藝改進(jìn)，同時(shí)重點(diǎn)推動(dòng)22DFX和12FDX工藝在低功耗、低成本以及高性能RF/模擬/混合信號(hào)設(shè)計(jì)的應(yīng)用。

國(guó)內(nèi)企業(yè)同樣需要完善產(chǎn)品線增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。中芯國(guó)際在28nm量產(chǎn)后至今仍不斷開發(fā)和完善產(chǎn)品線，未來(lái)這一輪產(chǎn)線落地后工藝的競(jìng)爭(zhēng)可能將更多地體現(xiàn)在產(chǎn)品線優(yōu)化上。

人才綜合素質(zhì)和企業(yè)管理能力將成為競(jìng)爭(zhēng)的重要因素

國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)起步晚，領(lǐng)軍人物不足，人才缺口大。隨著未來(lái)兩年多條產(chǎn)線的正式投產(chǎn)，人才團(tuán)隊(duì)和企業(yè)管理問題將逐步顯現(xiàn)。根據(jù)《中國(guó)集成電路人才白皮書(2017—2018版)》，截至2017年年底，我國(guó)集成電路行業(yè)從業(yè)人員規(guī)模在40萬(wàn)人左右，其中技術(shù)類從業(yè)人員規(guī)模為33萬(wàn)人左右。到2020年前后，我國(guó)集成電路行業(yè)人才需求約為72萬(wàn)人，我國(guó)現(xiàn)有人才存量40萬(wàn)人，人才缺口達(dá)到32萬(wàn)人。

對(duì)集成電路生產(chǎn)線而言，工藝研發(fā)需要整套的高質(zhì)量管理體系，這就不僅需要領(lǐng)軍人物，還需要一個(gè)素質(zhì)過硬的研發(fā)和管理團(tuán)隊(duì)。在生產(chǎn)線數(shù)量猛增的情況下，國(guó)內(nèi)這方面人才將明顯不足，高薪挖人和團(tuán)隊(duì)拆分必然出現(xiàn)，由此帶來(lái)的可能是團(tuán)隊(duì)?wèi)?zhàn)斗力的弱化。針對(duì)這一問題，政府、國(guó)內(nèi)外企業(yè)都應(yīng)及早重視并通力合作，打造相應(yīng)聯(lián)盟或平臺(tái)，共同開展高校培訓(xùn)和在職培訓(xùn)，制定相應(yīng)培訓(xùn)計(jì)劃，打破產(chǎn)業(yè)和教育的壁壘，做好人才資源儲(chǔ)備。