新突破！三星量產(chǎn)100+層V-NAND 未來(lái)還有300層

8月6日，三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)(SATA)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)，該硬盤(pán)集成了該公司的第六代(1xx層)256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過(guò)在短短13個(gè)月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個(gè)月，同時(shí)確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。

三星電子解決方案產(chǎn)品與開(kāi)發(fā)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung說(shuō)：“隨著下一代V-NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期加快，我們計(jì)劃快速擴(kuò)展我們的高速，高容量512Gb V-NAND解決方案的市場(chǎng)。”

具有100多層設(shè)計(jì)的唯一單堆棧3D存儲(chǔ)器芯片

三星的第六代V-NAND具有業(yè)界最快的數(shù)據(jù)傳輸速率，充分利用該公司獨(dú)特的制造優(yōu)勢(shì)，將3D內(nèi)存提升到新的高度。

利用三星獨(dú)特的“通道孔蝕刻”技術(shù)，新型V-NAND可將先前9x層單層結(jié)構(gòu)的單元數(shù)量增加約40%。這是通過(guò)構(gòu)建由136層組成的導(dǎo)電模具堆疊，然后從頂部到底部垂直穿透圓柱形孔來(lái)實(shí)現(xiàn)的，從而產(chǎn)生均勻的3D電荷捕獲閃光(CTF)單元。

隨著每個(gè)單元區(qū)域中的模具堆疊的高度增加，NAND閃存芯片往往更容易受到錯(cuò)誤和讀取延遲的影響。為了克服這些限制，三星采用了速度優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)，使其能夠?qū)崿F(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫(xiě)入操作低于450微秒(μs)，讀取低于45μs。與上一代產(chǎn)品相比，性能提升了10%以上，同時(shí)功耗降低了15%以上。

得益于這種速度優(yōu)化設(shè)計(jì)，三星將能夠在不影響芯片性能或可靠性的情況下，通過(guò)安裝三個(gè)電流堆棧，提供超過(guò)300層的下一代V-NAND解決方案。

此外，創(chuàng)建256Gb芯片密度所需的通道孔數(shù)量已從上一代的9.3億個(gè)減少到6.7億個(gè)孔，從而減小了芯片尺寸并減少了工藝步驟。這使制造業(yè)生產(chǎn)率提高了20%以上。

利用高速和低功耗特性，三星不僅計(jì)劃將其3D V-NAND的范圍擴(kuò)展到下一代移動(dòng)設(shè)備和企業(yè)服務(wù)器等領(lǐng)域，而且還擴(kuò)展到高可靠性至關(guān)重要的汽車(chē)市場(chǎng)。

繼今天推出250GB SSD之后，三星計(jì)劃在今年下半年推出512Gb三比特V-NAND SSD和eUFS。該公司還計(jì)劃從明年起在其Pyeongtaek(韓國(guó))園區(qū)擴(kuò)大更高速和更大容量的第六代V-NAND解決方案的生產(chǎn)，以更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求。

參考：三星V-NAND批量生產(chǎn)時(shí)間表