上海宏力半導體制造有限公司 （宏力半導體），宣布其專為微控制器（MCU）開發(fā)的涵蓋高端及低端應用平臺的工藝制程均已經成功量產，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式閃存）以及EEPROM制程平臺。
低本高效的OTP技術平臺是基于宏力半導體自身的0.18微米邏輯制程，結合了來自宏力戰(zhàn)略伙伴eMemory的第OTP。該MCU解決方案僅需14個光罩層，比傳統(tǒng)的0.35微米OTP至少減少了5個光罩層，創(chuàng)造了MCU工藝最低光罩層總數的行業(yè)紀錄。用STI （淺槽隔離）代替LOCOS （局部場氧化），并按照0.18微米后端制程的設計規(guī)則，使芯片的尺寸與標準的0.35微米或0.5微米OTP產品相比縮小30%以上。另外，宏力還提供一整系列的單元庫來簡化客戶的設計并縮短產品上市的時間。至今為止已經有20多件產品在宏力投入量產。
對于高性能的MCU產品，需要高擦寫次數的非揮發(fā)性記憶體，就此宏力提供搭配不同邏輯特性的嵌入式閃存制程平臺，支持通用，低功耗，以及超低漏電的邏輯電路設計使得客戶可以針對MCU的具體應用來選擇適合的工藝，以更好的設計高速以及低功耗的產品。這些嵌入式閃存制程結合了其基于SST SuperFlash上已經量產的自對準分柵閃存技術和自身的邏輯技術，覆蓋了從0.13微米到0.18微米的技術節(jié)點。其閃存記憶單元只有0.38平方微米，對于0.18微米技術節(jié)點而言已是行業(yè)中的最小單元尺寸，同時還可重復擦寫10萬次以上。
宏力半導體在提供標準Triple-gate嵌入式閃存制程的同時，也提供低成本高效率的Dual-gate方案。Dual-gate嵌入式閃存制程的光罩層數較少，3.3/12V只需22層，而1.8/12V在25層以下。對于客戶擔心的I/O，以及模擬IP，宏力半導體也可以提供相應的解決方案。
此外，宏力還提供EEPROM技術以支持更高擦寫次數要求的MCU產品以及銀 行卡，市民卡等應用，“至今為止，宏力半導體已經生產了成千上萬片基于其自身制程的晶圓，并成為領先的MCU應用產品的晶圓代工供應商之一。宏力極具競爭優(yōu)勢的低本高效OTP，嵌入式閃存及EEPROM技術幫助我們的客戶在縮短產品上市時間的同時，降低了其制造及研發(fā)成本。” 宏力半導體銷售市場服務單位資深副總衛(wèi)彼得博士表示，“本著公司專注于差異化技術的戰(zhàn)略，我們將持續(xù)加強并擴展MCU應用的技術開發(fā)。宏力的技術解決方案將幫助我們的客戶迅速在MCU市場中獲得更大的份額。”
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