美國研發(fā)出可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管

　　21ic電子網(wǎng)訊：一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制，電子遂穿超薄能量勢壘，可以低電壓產(chǎn)生高電流。

　　賓夕法尼亞州立大學(xué)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院以及專業(yè)晶片制造商IQE公司在國際電子器件會議（IEDM）上聯(lián)合宣布了這一發(fā)現(xiàn)。IEDM會議匯集了全部來自主要芯片公司的代表，是一個(gè)廣受認(rèn)可的論壇，用于報(bào)告半導(dǎo)體和電子技術(shù)方面取得的突破性進(jìn)展。

　　芯片制造商正在尋找繼續(xù)縮小晶體管尺寸的方法，并力圖在給定的面積內(nèi)封裝更多晶體管。隧道場效應(yīng)晶體管被認(rèn)為有望替代當(dāng)前的CMOS器件。當(dāng)前面對的主要技術(shù)挑戰(zhàn)是隨著尺寸減少，晶體管工作所需的功耗未能同步減少，結(jié)果導(dǎo)致電池消耗更快，產(chǎn)生更多熱量，給電路帶來不利影響。多種采用非標(biāo)準(zhǔn)硅材料的新型晶體管結(jié)構(gòu)正被研究，用于克服能耗挑戰(zhàn)。

　　賓夕法尼亞大學(xué)的研究生BijeshRajamohanan表示：“此前，該晶體管已在我們的實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行開發(fā)，用于在邏輯電路中替代MOSFET晶體管，可克服功耗問題。目前，我們的研究又向前邁進(jìn)了一步，展示了該晶體管的高頻工作能力，使其可用于功率極其受限的應(yīng)用，如植入到人體中的用于處理和收發(fā)信息的電子器件。”

　　產(chǎn)生更多的功耗和熱量的植入式器件會傷害被監(jiān)控的機(jī)體組織，同時(shí)會更快耗盡電池，需要更頻繁的電池更換手術(shù)。電子工程教授SumanDatta領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)利用銦鎵砷和鎵砷銻材料使能帶接近于零—或稱為近帶隙，使電子能夠按預(yù)期遂穿通過勢壘。為改善放大率，研究人員將所有連接轉(zhuǎn)移到垂直晶體管頂部的同一外表面上。

　　該器件的研究，是美國國家科學(xué)基金會通過納米系統(tǒng)工程研究中心資助“一體化傳感器及技術(shù)先進(jìn)自供電系統(tǒng)”(NERC-ASSIST)這一更大計(jì)劃的一部分。ASSIST計(jì)劃的更大目標(biāo)，是發(fā)展不使用電池、由人體供電的可穿戴式健康監(jiān)控系統(tǒng)。參與研究的單位包括賓夕法尼亞大學(xué)、被卡羅萊納州立大學(xué)、弗吉尼亞大學(xué)、佛羅里達(dá)國際大學(xué)。