美光副總裁欲在兩年內(nèi)將NAND市場份額提高3倍

    8月15日，據(jù)美光科技公司NAND開發(fā)副總裁弗朗基F.魯帕瓦稱，由于美光科技公司的50納米制程N(yùn)AND閃存芯片計劃在2007年年初投產(chǎn)，它打算在市場上展開更為積極的進(jìn)攻，計劃到2008年-2009年之間的時候?qū)⑵涫袌稣加新侍岣叩?0％以上。 

　　魯帕瓦稱，50納米制程4GBNAND芯片的批量投產(chǎn)計劃在7月底時就已經(jīng)開始試生產(chǎn)了。 明年，美光科技公司將開始從IM Flash Technologies公司的12英寸加工廠采購NAND芯片，IM Flash Technologies公司是它與英特爾公司在今年年初合資組建而成。該加工廠位于美國猶他州萊西市，計劃月產(chǎn)能為20萬件硅片。 

　　萊西市加工廠和IM flash公司在弗吉尼亞州曼拉薩市的另外一家生產(chǎn)廠所使用的NAND閃存生產(chǎn)技術(shù)都是由美光科技公司在博伊西市的12英寸生產(chǎn)廠開發(fā)出來的。 
　　美國科技研究所的分析師道格弗里德曼曾經(jīng)預(yù)計IM Flash公司將在隨后的三到四個月的時間里宣布再建一家生產(chǎn)廠，魯帕瓦承認(rèn)IM Flash公司確有此打算并且已經(jīng)開始物色新生產(chǎn)廠的建廠廠址。 

　　魯帕瓦還說，美光科技公司非常自信，認(rèn)為它在全球NAND閃存市場上的占有率肯定會在2008年到2009年間超過10％。據(jù)iSuppli公司統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，美光科技公司在2006年第一季度時的全球市場占有率為2.9％。