【名詞解釋】非晶硅TFT（amorphous silicon TFT）

目前，大多數(shù)正在量產的液晶面板使用的驅動元件均為非晶硅TFT。非晶硅TFT的開關特性優(yōu)異，利用非晶硅TFT驅動的液晶面板用途廣泛，小至手機和數(shù)碼相機等小型顯示屏，大至超過30英寸的大尺寸液晶電視。

非晶硅是指結晶構造為非晶質，即硅原子不具有金剛石構造、處于無序排列的狀態(tài)。利用非晶硅構成TFT通道區(qū)域的就是非晶硅TFT。一般情況下，非晶硅TFT的載流子遷移率約為0.5cm2/Vs，閾值電壓(Vth)約為2V。開關性能方面，導通電流為數(shù)μA，截止電流為10-2A以下。

TFT自身與半導體MOS FET一樣，由柵極、源極和漏極3個端子構成。當柵極電壓為約20V的導通狀態(tài)時，電流由漏極流向源極。處于截止狀態(tài)（OV或負電位）時不流經電流。根據柵極的構成順序，又可分為頂柵(Top Gate)型（或正向交叉型、共面型）和底柵（Bottom Gate）型（反向交叉型）等，但工作原理和基本性能沒有太大差別。

非晶硅的制造采用等離子CVD（Chemical Vapor Deposition）技術?？稍?50℃以下的較低溫度下，在大尺寸玻璃基板上形成均勻性出色的薄膜。