中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模分析(圖)
賽迪顧問表示,從2003年啟動(dòng)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程到現(xiàn)在,中國(guó)的led產(chǎn)業(yè)已經(jīng)獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。2008年,受全球金融危機(jī)的影響,LED行業(yè)下游需求低迷,LED行業(yè)增長(zhǎng)減慢。到2009年,由于國(guó)家的各項(xiàng)配套政策,LED行業(yè)的增長(zhǎng)速度開始加快。2010年,下游的全彩色LED顯示屏,LED背光,LED驅(qū)動(dòng)照明和其他應(yīng)用快速發(fā)展,推動(dòng)中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)(包括襯底,外延,芯片和封裝)的規(guī)模激增33.8%,達(dá)到294.6億元人民幣。同時(shí),從2006年至2010年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為18.7%。
近年來,由于技術(shù)落后和激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),相比外延,芯片和封裝領(lǐng)域的快速發(fā)展,中國(guó)的襯底方面的發(fā)展一直比較緩慢。在2010年,由于很多藍(lán)寶石襯底項(xiàng)目仍在建或在設(shè)備測(cè)試(產(chǎn)能擴(kuò)大受阻)過程中,導(dǎo)致藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)能力有限,因此襯底領(lǐng)域仍以低端產(chǎn)品為主。盡管如此,2010年中國(guó)襯底的產(chǎn)能增長(zhǎng)了34.4%,達(dá)到352.5萬平方英寸,而年產(chǎn)值增長(zhǎng)50.8%,達(dá)到1.4億元人民幣。
賽迪顧問表示,由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程和國(guó)家863計(jì)劃的支持,中國(guó)的砷化鎵/磷化銦/ 磷化鎵襯底技術(shù)(應(yīng)用于紅色和綠色LED產(chǎn)品)取得重大進(jìn)展。北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司,國(guó)瑞電子材料有限公司,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第46研究所等企業(yè)已實(shí)現(xiàn)襯底的大規(guī)模生產(chǎn)。這些公司的LED襯底產(chǎn)量約占全國(guó)總量的30%,實(shí)現(xiàn)了上述襯底的自給自足。
2010年,下游LED背光源和LED照明快速發(fā)展,以及氮化鎵外延和芯片產(chǎn)能擴(kuò)大,導(dǎo)致上游用于制造藍(lán)色和白色LED的藍(lán)寶石,碳化硅(SiC)以及氮化鎵(GaN)襯底供應(yīng)緊張,價(jià)格一路攀升。盡管研究這些材料的技術(shù)尚未成熟,加上高質(zhì)量人才短缺,但為了追求高額利潤(rùn),國(guó)內(nèi)許多企業(yè)在2010年繼續(xù)加大投入和引進(jìn)關(guān)鍵技術(shù),紛紛進(jìn)入藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域。這些企業(yè)大多位于東部沿海地區(qū)和西南,也有一些是在中國(guó)內(nèi)陸地區(qū)。
其中,天津賽法晶片技術(shù),青島嘉星晶電科技已開始供應(yīng)藍(lán)寶石襯底產(chǎn)品。而四聯(lián)集團(tuán)(2008年收購(gòu)霍尼韋爾在加拿大的藍(lán)寶石襯底制造廠和技術(shù)而進(jìn)入藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域)正在重慶建設(shè)一個(gè)藍(lán)寶石襯底制造基地。到2010年底,四聯(lián)集團(tuán)藍(lán)寶石襯底項(xiàng)目的第一階段已完成,開始小批量生產(chǎn)。
同時(shí),云南藍(lán)晶科技,哈爾濱北極光光電科技有限公司等企業(yè)已小規(guī)模生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底。歐亞彩虹光電科技,協(xié)鑫光電,和天通控股在2010年開始進(jìn)入藍(lán)寶石晶體和襯底領(lǐng)域。而2011年浙江水晶光電和西安神光安瑞光電科技也緊隨其后進(jìn)入藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域。浙江東晶電子有限公司則對(duì)第一階段的項(xiàng)目進(jìn)行升級(jí)改造,有望在2012年底將藍(lán)寶石晶圓產(chǎn)能擴(kuò)大至750萬。
賽迪顧問估計(jì),從產(chǎn)能擴(kuò)張的速度來看,藍(lán)寶石襯底的供應(yīng)至少在未來三年仍會(huì)緊張。然而,進(jìn)入2011年后,為擴(kuò)大生產(chǎn)能力,企業(yè)大規(guī)模投資藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域,藍(lán)寶石襯底產(chǎn)量在LED襯底總產(chǎn)量中所占比例大增,超過用于制造四元芯片產(chǎn)品的襯底的產(chǎn)量。
受益于中國(guó)下游應(yīng)用市場(chǎng)的快速發(fā)展,氮化鎵MOCVD設(shè)備從2009年以來在中國(guó)呈現(xiàn)爆炸性增長(zhǎng),大大增強(qiáng)中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)外延領(lǐng)域的發(fā)展勢(shì)頭。2010年,MOCVD設(shè)備的裝機(jī)數(shù)量接近300臺(tái),其中200多臺(tái)已開始投入生產(chǎn)。中國(guó)LED外延領(lǐng)域產(chǎn)值達(dá)到12.5億元人民幣,增加了78.4%。
對(duì)于特殊應(yīng)用領(lǐng)域,AlGaInP外延(主要用于紅色LED)由于其穩(wěn)定的增長(zhǎng)機(jī)制和材料特性,占據(jù)中國(guó)市場(chǎng)的主導(dǎo)位置。然而,由于該應(yīng)用市場(chǎng)相對(duì)成熟,需求越來越小,因此增長(zhǎng)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后氮化鎵外延片。
在2010年,AlGaInP/ AlGaAs/GaAsP/GaP外延片的產(chǎn)量占外延片總產(chǎn)量的60.2%,相比2009年下降了15.8%。相比之下,受益于藍(lán)色和白色LED在景觀照明和背光源領(lǐng)域應(yīng)用迅速擴(kuò)大,2010年氮化鎵外延片產(chǎn)量占中國(guó)總外延片產(chǎn)量的39.8%。據(jù)估計(jì),2011年氮化鎵外延片的產(chǎn)量將超過AlGaInP外延片的產(chǎn)量。
賽迪顧問表示,制造普通亮度紅光LED的外延片,中國(guó)基本上能實(shí)現(xiàn)自給自足。但制造超高亮度紅光LED仍然依賴于臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)進(jìn)口的高質(zhì)量AlGaInP外延片。此外,由于國(guó)內(nèi)氮化鎵外延片產(chǎn)能有限,加上產(chǎn)品質(zhì)量低劣,因此國(guó)內(nèi)不得不進(jìn)口氮化鎵外延片。
由于LED外延產(chǎn)品的生產(chǎn)需要投入大量資金,先進(jìn)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員,大多數(shù)外延片制造商位于中國(guó)比較富裕的東部和南部地區(qū)。但隨著外延市場(chǎng)需求的擴(kuò)大,新企業(yè)將陸續(xù)進(jìn)入該領(lǐng)域,而現(xiàn)有的企業(yè)將致力于擴(kuò)大產(chǎn)能。例如,三安光電已廈門之外的天津和安徽省蕪湖建立LED生產(chǎn)基地。同時(shí),除了上海,廈門,揚(yáng)州等地點(diǎn),新踏足LED的企業(yè)已經(jīng)將目光轉(zhuǎn)到了中國(guó)中部。