制程技術(shù)就定位 GZO薄膜取代ITO有望
工研院機(jī)械所先進(jìn)制造和新技術(shù)組電漿應(yīng)用技術(shù)部經(jīng)理張加強(qiáng)表示，工研院正利用專利大氣壓電漿輔助化學(xué)氣相沉積(AP-PECVD)設(shè)備，發(fā)展GZO鍍膜與圖案化制程，以取代ITO薄膜充當(dāng)觸控模組的TCO層，助力業(yè)者控管生產(chǎn)成本。該技術(shù)采用低溫電漿成形手法，毋須透過(guò)高溫化學(xué)反應(yīng)或采用昂貴的真空幫浦；不僅大幅節(jié)省設(shè)備開(kāi)支，亦可符合綠色制程規(guī)范，過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生任何有毒物質(zhì)。
面對(duì)ITO貨源集中，導(dǎo)致觸控模組成本居高不下的問(wèn)題，以GZO、導(dǎo)電高分子(PEDOT)或碳奈米管(CNT)等新材料取代ITO的發(fā)展已勢(shì)不可當(dāng)。其中，GZO與ITO同為無(wú)機(jī)材料，電阻值、光穿透率表現(xiàn)相近，且價(jià)格極具吸引力，系目前最被看好的替代方案。
張加強(qiáng)透露，工研院已攜手臺(tái)灣設(shè)備廠啟動(dòng)GZO薄膜試產(chǎn)，可將厚度僅0.1毫米(mm)的GZO涂布于玻璃上，并將鎖定軟性背板，推行與卷對(duì)卷(Roll to Roll)制程相容的解決方案。預(yù)計(jì)在GZO鍍膜良率達(dá)到穩(wěn)定水準(zhǔn)后，將陸續(xù)技轉(zhuǎn)給相關(guān)業(yè)者，提高臺(tái)灣觸控模組廠對(duì)上游材料的成本掌控度，進(jìn)而厚實(shí)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
除應(yīng)用大氣壓電漿制作GZO薄膜外，磁控濺鍍(Magnetron Sputtering, MS)、離子鍍膜(Reactive Plasma Deposition, RPD)制程亦迭有進(jìn)展。日本LINTEC研究中心設(shè)備材料實(shí)驗(yàn)室首席研究員Koichi Nagamoto指出，LINTEC正以離子鍍膜技術(shù)研發(fā)將GZO貼合在玻璃或聚酯樹(shù)脂膜(PET)上的解決方案，并著手進(jìn)行測(cè)試，包括光穿透率、電阻值、厚度及耐彎折度的表現(xiàn)均相當(dāng)優(yōu)異。
Nagamoto更透露，LINTEC提出一項(xiàng)專利技術(shù)，可在PET與GZO薄膜之間，導(dǎo)入涂布緩沖層(Coating Buffer Layer)。該設(shè)計(jì)除可促進(jìn)PET表面平滑，優(yōu)化光學(xué)特性外，并讓GZO更容易附著于PET上，藉以維持80%以上的光穿透率與增強(qiáng)耐彎折幅度，提升觸控功能。
至于下一階段的計(jì)劃，LINTEC將強(qiáng)攻磁控濺鍍技術(shù)。Nagamoto分析，基于磁性濺鍍制程的GZO電氣特性雖不如離子鍍膜出色，但其耐彎折度較佳，適合用在PET軟板上。因此，LINTEC已將其視為未來(lái)的布局重點(diǎn)，將針對(duì)此一制程的蝕刻步驟進(jìn)行全面檢測(cè)，以改善生產(chǎn)良率。
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