[導(dǎo)讀]采用靜電容量式
蘋果開發(fā)的In-cell技術(shù)采用的是哪種觸摸輸入檢測方法呢?答案是,通過在TFT基板上形成傳感器布線,內(nèi)置了投影型靜電容量式觸摸傳感器功能(圖2)。
圖2:在TFT基板上形成傳感器
iPhone 5的In-
采用靜電容量式
蘋果開發(fā)的In-cell技術(shù)采用的是哪種觸摸輸入檢測方法呢?答案是,通過在TFT基板上形成傳感器布線,內(nèi)置了投影型靜電容量式觸摸傳感器功能(圖2)。
圖2:在TFT基板上形成傳感器
iPhone 5的In-cell面板將設(shè)置在顯示用通用電極(ITO)上的金屬布線用作檢測電極,將在TFT柵極層上追加形成的金屬布線用作驅(qū)動(dòng)電極,實(shí)現(xiàn)了投影型靜電容量式觸摸傳感器。(圖:面板截面構(gòu)造是《日經(jīng)電子》根據(jù)蘋果的專利和采訪推測的)
把在液晶面板驅(qū)動(dòng)用通用電極(ITO)上新形成的金屬布線以及在TFT的柵極層追加的金屬布線用于觸摸輸入檢測。在用戶的指尖觸摸面板表面時(shí),檢測各電極間的容量分布變化?!皩⒊S玫耐庵渺o電容量式觸摸面板功能直接嵌入了面板內(nèi)部”(LTEC)。
接下來將邊拆解iPhone 5面板,邊分析蘋果公司開發(fā)的In-cell技術(shù)的詳情。首先來看面板背面,在用來與主板連接的端子部分,除了影像顯示用端子以外,左右兩端還配置了觸摸輸入檢測用端子(圖3)。檢測用端子與面板顯示部分連接在一起,具體來說,連接了與面板長邊(TFT的源極布線)平行的10根金屬布線和與短邊(TFT的柵極布線)平行的20根金屬布線。
圖3:形成10×20的傳感器布線
In-cell面板上有觸摸傳感器專用端子。有10根與長邊平行的檢測電極,20跟與短邊平行的驅(qū)動(dòng)電極。(圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)LTEC的資料制作)
仔細(xì)觀察顯示部分可以確認(rèn),分別與長邊、短邊平行的金屬布線相互交叉,在像素的源極布線和柵極布線上構(gòu)成網(wǎng)狀(圖4)。這些金屬布線在IPS模式顯示所需的通用電極(ITO)的正上方形成(圖4上方的照片)。
圖4:追加工序少
iPhone 5采用的In-cell技術(shù)的概要。與普通的IPS模式液晶面板相比,制造時(shí)追加的層只有在通用電極(ITO)上方的觸摸傳感器用布線。(圖由《日經(jīng)電子》根據(jù)LTEC的資料制作)
如果只是將平行于長邊的布線與平行于短邊的布線形成在同一層上,這些布線無法作為靜電容量式觸摸傳感器功能。因?yàn)閮蓚€(gè)方向的布線只有分別位于不同的層上,才能檢測到容量變化。為此,iPhone 5的In-cell面板不但改變了通用電極ITO的布線圖案,還TFT柵極布線層上、每8條柵極布線形成一條新的金屬布線,并將與短邊平行的金屬布線與這些新的金屬布線連接(圖4下方的照片)。這樣就在基板上的通用電極層和TFT層這兩個(gè)不同層上形成了觸摸傳感器用金屬布線,由此可以檢測到靜電容量的變化。
困難重重的追加工序
蘋果公司開發(fā)的In-cell技術(shù)在現(xiàn)有液晶面板上的追加工序只有在像素電極ITO上形成觸摸輸入檢測用金屬布線。而像素電極布線圖案的改變和在柵極布線上追加金屬布線“可以通過改變光掩模圖案來實(shí)現(xiàn)”。這樣看來,該技術(shù)好像很容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
但實(shí)際看來,似乎3家公司的iPhone 5用In-cell面板的量產(chǎn)都陷入了苦戰(zhàn)。對(duì)于目前的成品率,多位顯示器相關(guān)人士都指出,“率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的日本顯示器可能達(dá)到了70%,而量產(chǎn)較晚的夏普可能還要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于這一數(shù)值”。
各公司難以提高成品率的原因之一是像素晶體管的變更。從端子上的印記來看,此次拆解的iPhone 5面板是在原東芝TMD公司的石川工廠生產(chǎn)的(圖3)。iPhone 4S采用的TMD的面板為了抑制漏電流,在像素晶體管上配置了多個(gè)輔助容量,而此次的面板則沒有。不可否認(rèn),采用蘋果公司的技術(shù)存在由于漏電流而導(dǎo)致缺陷率上升的可能性。
在TFT基板上形成傳感器的構(gòu)造也很可能是成品率難以提高的一個(gè)原因。觸摸輸入的靈敏度會(huì)因液晶層產(chǎn)生的噪聲而降低,因此制造中的容許誤差范圍變得很小。此外,像素電極ITO以及其上形成的傳感器金屬布線還可能會(huì)引起蝕刻缺陷。(全文完 記者:佐伯 真也,竹居 智久,《日經(jīng)電子》)
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