GTAT將探討HVPE氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的關(guān)鍵元素

LED半導體照明網(wǎng)訊 GT Advanced Technologies將出席于2013年10月16至17日在臺灣臺北舉行的LED Forum Taipei 2013。屆時，GT首席技術(shù)官Raghavan博士將與與會者一同探討高效氫化物氣相磊晶(HVPE)氮化鎵(GaN)系統(tǒng)的關(guān)鍵元素，以及該系統(tǒng)預期能為制造商帶來的優(yōu)勢。

今年5月，GT宣布將利用Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下子公司）獨家擁有的HVPE專利技術(shù)，包括有望降低輸送至HVPE反應器的前驅(qū)體成本的新穎且先進的源輸送系統(tǒng)，開發(fā)、生產(chǎn)及商業(yè)化HVPE系統(tǒng)。這套HVPE系統(tǒng)可實現(xiàn)藍寶石基GaN的規(guī)?；?、低成本生產(chǎn)。GT估計其HVPE系統(tǒng)可降低超過80%的前驅(qū)體成本，同時提高昂貴的MOCVD制程的產(chǎn)量，并且最高可降低25%的資本支出。HVPE系統(tǒng)預計將于2014年下半年上市。