半導體照明10年狂飆 行業(yè)面臨“新拐點”

21ic訊 “10年來中國在半導體照明領域發(fā)展迅速，已經(jīng)成為全球半導體照明研發(fā)和生產(chǎn)的中心之一?！笨萍疾扛辈块L曹健林在近日舉行的第十屆中國國際半導體照明論壇上表示，半導體照明在我國取得快速發(fā)展有很多原因，既與近年來的節(jié)能減排政策和城鎮(zhèn)化發(fā)展有關(guān)，也與我國有較好的產(chǎn)業(yè)基礎相關(guān)。

據(jù)介紹，2003年年底，科技部會同其他六部委和行業(yè)協(xié)會，緊急啟動了“十五”國家科技攻關(guān)計劃“半導體照明產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)”重大項目，使我國半導體照明工程進入實質(zhì)性推進階段。經(jīng)過10年發(fā)展，我國半導體照明產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)技術(shù)和產(chǎn)品應用方面不斷進步，成為全球主要的半導體照明產(chǎn)品制造基地。

產(chǎn)學研“抱團”十年共進

“今年是國家半導體照明工程實施第10年，有很多情懷和感想在里面?！眹H半導體照明聯(lián)盟（ISA）主席、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲列舉出一串具有沖擊力的數(shù)字：

2003年我國半導體照明的光效還不到20lm/W，2013年達到140lm/W；

2003年我國半導體照明每年申請的專利是1400件，2013年達到2.5萬件；

2003年我國半導體照明只是用來做指示、顯示，2013年產(chǎn)業(yè)規(guī)模已經(jīng)突破2500億元；

2003年國內(nèi)半導體市場不要說芯片，就連器件都依賴進口，2013年芯片替代進口達到75%；

2003年我國半導體照明行業(yè)沒有一家上市公司，2013年上市公司已經(jīng)達到19家。

10年前，當我國半導體照明產(chǎn)業(yè)興起之初，國內(nèi)企業(yè)小弱散亂的狀態(tài)難以應對國際競爭的挑戰(zhàn)，“抱團”發(fā)展成了眾多新興企業(yè)的共識。

2004年10月，由國內(nèi)43家半導體照明骨干企業(yè)和科研院所按照“自愿、平等、合作”的原則發(fā)起成立了國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。目前，該聯(lián)盟共有來自我國大陸、香港和臺灣地區(qū)及在華注冊的外資機構(gòu)等293家成員單位，并于2009年組建了半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟，2012年組建半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室。可以說，10年來，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟持續(xù)探索產(chǎn)學研合作創(chuàng)新的有效模式和運行機制，在促進產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新，提升我國照明產(chǎn)業(yè)的國際競爭力立面發(fā)揮了重要作用。

政策利好 LED“光效”顯著

據(jù)測算，若將我國在用的白熾燈全部替換成節(jié)能燈，每年可節(jié)電480億千瓦時，相當于減排二氧化碳近4800萬噸，若進一步更換為LED照明產(chǎn)品，將帶來更大的節(jié)能效果。可以說半導體照明將成為我國節(jié)能減排事業(yè)當仁不讓的“主力”。

為推動LED照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，降低能源消耗，2009年國家發(fā)改委、科技部等六部委聯(lián)合發(fā)布了《半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》?？萍疾坑诋斈陠恿恕笆侨f盞”半導體照明應用工程試點工作。截至2012年年底，已批復的37個“十城萬盞”試點城市已實施示范工程超過2700項，應用LED燈具超過700萬盞，年節(jié)電超過20億千瓦時，試點工作節(jié)能效果顯著。

2013年，國家發(fā)改委、科技部、工業(yè)和信息化部等六部委又聯(lián)合發(fā)布《 半導體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》。半導體照明在節(jié)能減排中的地位與作用正在逐步顯現(xiàn)。

10年來，在國家半導體照明工程以及一系列利好政策的推動下，我國LED照明在技術(shù)領域快速進步，不僅在功率型白光LED芯片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)上取得較大突破，而且在重大裝備核心技術(shù)上進展順利。如成功開發(fā)48片生產(chǎn)型MOCVD樣機，生產(chǎn)的功率型LED芯片各項指標良好；自主研發(fā)出適用于氮化物生長的HVPE設備，采用激光剝離和自分離技術(shù)獲得高質(zhì)量2英寸自支撐GaN襯底。擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的重大核心裝備研制打破國外設備壟斷的局面，極大地推動了我國半導體照明自主知識產(chǎn)權(quán)體系的建立和發(fā)展。此外，規(guī)?；到y(tǒng)集成技術(shù)研究和重大應用效果顯著，我國已成為全球LED全彩顯示屏、太陽能LED、景觀照明等應用產(chǎn)品最大的生產(chǎn)和出口國。