貴州皓天光電榮獲LED2013最佳LED材料技術創(chuàng)新獎

OFweek半導體照明網(wǎng)訊 "LED第十屆LED前瞻技術與市場研討會（LED LED Seminar 2013）"于11月15日在深圳星河麗思卡爾頓酒店圓滿落幕，同期舉行的還有"2013LED行業(yè)年度評選（LED LED Awards）"頒獎盛典，今年評選共設立8個獎項，本著"公平、公正、公開"的原則，主辦方投入了大量的時間和精力，經(jīng)過數(shù)月的緊張評選，最終評選出29家獲獎LED企業(yè)及個人。

其中，貴州皓天光電科技有限公司憑借6"R向藍寶石襯底產(chǎn)品成功奪得"最佳LED材料技術創(chuàng)新獎"。

貴州皓天產(chǎn)品圖片

通常，C面藍寶石襯底上生長的GaN薄膜是沿著其極性軸即ｃ軸方向生長的，薄膜具有自發(fā)極化和壓電極化效應，導致薄膜內(nèi)部(有源層量子阱)產(chǎn)生強大的內(nèi)建電場，(QuantumConfineStarkEffect，QCSE；史坦克效應)大大地降低了GaN薄膜的發(fā)光效率.在一些非C面藍寶石襯底(如R面或M面)和其他一些特殊襯底(如鋁酸鋰；LiAlO2)上生長的GaN薄膜是非極性和半極性的，上述由極化場引起的在發(fā)光器件中產(chǎn)生的負面效應將得到部分甚至完全的改善.傳統(tǒng)三五族氮化物半導體均成長在C-plane藍寶石基板上，若把這類化合物成長于R-plane或M-Plane上，可使產(chǎn)生的內(nèi)建電場平行于磊晶層，以增加電子電洞對復合的機率。因此，以氮化物磊晶薄膜為主的LED結構成長R-plane或M-Plane藍寶石基板上，相比于傳統(tǒng)的C面藍寶石磊晶，將可有效解決LED內(nèi)部量子效率效率低落之問題，并增加元件的發(fā)光強度。最新消息據(jù)稱非極性LED能使白光的發(fā)光效率提高兩倍。

由LED中國高科技行業(yè)門戶主辦，21ic與21ic承辦的LEDLED前瞻技術與市場研討會已成功舉辦了十屆。LED LED Seminar 2013定位于全球LED產(chǎn)業(yè)技術與市場，旨在為業(yè)內(nèi)人士搭建一個分享經(jīng)驗、交流技術的平臺，同期舉辦的評選成功延續(xù)了歷往九屆盛會的精神，旨在不遺余力借助各方力量，推動LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，為企業(yè)更好地認識行業(yè)現(xiàn)狀及有力的把握未來發(fā)展趨勢搭建起來一座通往成功彼岸的橋梁。

獲獎感言

感謝LED開展這樣一個活動，感謝廣大客服對我們的支持。我們皓天光電將一如既往的堅持引進吸收消化創(chuàng)新的理念，堅持重視質量和市場，滿足廣大客戶的需求。