中國首次實現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產,在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業(yè)內專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機。
泰科天潤半導體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極管產品鑒定會暨新產品信息發(fā)布會20日在北京舉行。鑒定委員會認為該公司的量產工藝方法、產品性能達到了國際同類產品的先進水平。
據(jù)悉,經過兩年攻關,泰科天潤研發(fā)的碳化硅肖特基二極管多個產品已成功量產,產品涵蓋600V—3300V等中高壓范圍。其中,600V/10A、1200V/20A等產品成品率達到國際先進水平。
總經理陳彤介紹,利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作,“與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅電力芯片能夠大幅度減少電力設備體積和重量,能大幅降低各項設備系統(tǒng)的整體成本并提高系統(tǒng)的可靠性”。
數(shù)據(jù)表明,屬于“寬禁帶”的第三代半導體的碳化硅,大功率在降低自身功耗的同時,提高系統(tǒng)其他部件的功效,可節(jié)能20%至90%。
中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會常務副理事長肖向鋒指出,這一成果對于煤炭、石油等資源越發(fā)緊缺的中國具有現(xiàn)實意義。
“為應對能源危機,國家提出節(jié)能減排,電能的輸送、分配都離不開電力電子技術”,肖向鋒解釋說,現(xiàn)有的電子技術基于半導體硅材料器件,但受制于硅材料的物理性能,器件功耗大。碳化硅器件的研發(fā)、生產無疑可解“燃眉之急”。
“我國功率器件產業(yè)整體落后美、歐、日等發(fā)達國家,關鍵技術裝備基本依賴國外”,陳彤在受訪時說,但在第三代半導體器件方面,國內研究機構和企業(yè)已有趕超之勢。
他認為這得益于政府導向,國家863計劃新材料技術領域以及科技支撐計劃能源領域在2014年度備選項目征集指南中指明,要開展第三代半導體材料的關鍵技術、器件制備及研制電力電子芯片和器件等科研計劃。他們的“碳化硅電力電子器件產業(yè)化投資項目”也已被北京市海淀區(qū)向市科委推薦,申報“重大科技成果轉化落地培育”專項資金。
肖向鋒亦提出三點要求,“提高自己團隊的技術水平,提高研發(fā)能力,健全生產線”。他希望以此為契機,將預計達千億元規(guī)模的中國碳化硅器件產業(yè)做起來。