縮減LED/功率元件測(cè)試成本　PXI模組化SMU亮相

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 PXI模組化電源量測(cè)單元(SMU)儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等需要SMU輸出瞬間高瓦數(shù)的電源進(jìn)行量測(cè)，然高瓦數(shù)的SMU往往價(jià)格昂貴，有鑒于此，美商國(guó)家儀器(NI)發(fā)布新一代PXI模組化SMU儀器，助力客戶大幅降低測(cè)試成本。

美商國(guó)家儀器自動(dòng)化測(cè)試東亞區(qū)行銷(xiāo)技術(shù)經(jīng)理張?zhí)焐?左)表示，PXIe 4139顛覆傳統(tǒng)SMU的設(shè)計(jì)與性能，準(zhǔn)備在高功率半導(dǎo)體元件測(cè)試市場(chǎng)大展身手。右為美商國(guó)家儀器自動(dòng)化測(cè)試行銷(xiāo)經(jīng)理潘建安

美商國(guó)家儀器自動(dòng)化測(cè)試東亞區(qū)行銷(xiāo)技術(shù)經(jīng)理張?zhí)焐硎?，隨著LED單價(jià)驟降，降低生產(chǎn)成本亦面臨極大的挑戰(zhàn)，遂讓更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的PXI模組化測(cè)試儀器優(yōu)勢(shì)盡現(xiàn)，也因此，該公司持續(xù)推出采用PXI模組化架構(gòu)開(kāi)發(fā)的新款SMU儀器。

不僅是LED，IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體元件亦需高瓦數(shù)的SMU進(jìn)行測(cè)試，但隨著LED和功率半導(dǎo)體元件的價(jià)格直落，半導(dǎo)體廠商已愈來(lái)愈無(wú)力負(fù)擔(dān)售價(jià)高昂的高瓦數(shù)SMU，將讓PXI模組化SMU勢(shì)力有機(jī)會(huì)在測(cè)試儀器市場(chǎng)抬頭。

美商國(guó)家儀器自動(dòng)化行銷(xiāo)經(jīng)理潘建安指出，不同于市面上的SMU儀器僅有八個(gè)通道，該公司新推出的SMU機(jī)臺(tái)PXIe 4139可擴(kuò)充多達(dá)十七個(gè)通道，不僅測(cè)試速度快三倍，更可藉此減少測(cè)試成本。

據(jù)了解，PXIe 4139可應(yīng)用于LED封裝和終端，以及功率半導(dǎo)體元件的研發(fā)及產(chǎn)線端。張?zhí)焐鷱?qiáng)調(diào)，由于PXIe 4139測(cè)試速度快又精準(zhǔn)，且測(cè)試量大，因此在產(chǎn)線端更能彰顯其價(jià)值。

除大大降低測(cè)試成本之外，PXIe 4139也改善傳統(tǒng)SMU暫態(tài)響應(yīng)(Transient Response)不夠快速精確的弊病。張?zhí)焐f(shuō)明，美商國(guó)家儀器挾獨(dú)有的SourceAdapt技術(shù)，消弭傳統(tǒng)SMU暫態(tài)響應(yīng)過(guò)慢的缺陷，因此不會(huì)再發(fā)生因電壓或電流過(guò)沖(Overshooting)而造成待測(cè)物損毀的情形，有助進(jìn)一步提高測(cè)試效率。