飛利浦推出LDMOS技術(shù)加速3G蜂窩網(wǎng)絡(luò)建設(shè)步伐

    飛利浦(Philips)公司日前宣布在LDMOS技術(shù)上取得重大突破，可降低3G蜂窩基站的復(fù)雜性和運(yùn)營(yíng)成本，同時(shí)大大增強(qiáng)性能和可靠性。采用飛利浦新型第4代LDMOS技術(shù)生產(chǎn)的射頻功率晶體管與現(xiàn)有LDMOS器件相比，增益更大，運(yùn)行效率更高。因此，射頻功率放大器需要的增益級(jí)更少，運(yùn)行能量消耗也更少。這些新型晶體管具備的優(yōu)異線性功能(即使在高功率級(jí)別下)意味著它們能滿足多載波WCDMA和GSM EDGE基站放大器的超低失真要求。

    行業(yè)對(duì)3G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施的推出期待已久，3G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施也被看作在提供更為豐富的多媒體體驗(yàn)和為移動(dòng)用戶提供更先進(jìn)數(shù)據(jù)服務(wù)方面的重要一步。使飛利浦LDMOS技術(shù)成為3G基礎(chǔ)設(shè)施理想之選的這些特性，也使得LDMOS技術(shù)也適用于目前在全球各地推出的眾多數(shù)字地面電視系統(tǒng)的發(fā)送器上。

    飛利浦半導(dǎo)體LDMOS射頻功率器件市場(chǎng)經(jīng)理Rick Dumont說：“第4代LDMOS技術(shù)的推出，使得射頻功率放大器設(shè)計(jì)人員有更多的設(shè)計(jì)空間，更好地解決效率和線性折衷這一非常困難的問題。這些新器件還可更容易地滿足WCDMA等系統(tǒng)在電信行業(yè)所需的價(jià)位情況下對(duì)性能的要求，進(jìn)一步增強(qiáng)我們作為主要蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施廠商LDMOS 射頻功率器件領(lǐng)先供應(yīng)商的地位?！?

    飛利浦新型 0.6 μm LDMOS技術(shù)使射頻功率晶體管的性能達(dá)到一個(gè)新階段，功率密度提高50%，WCDMA效率提高6-8%，功率增益與以前的0.8 μm相比，提高了2 dB。此外，與傳統(tǒng)LDMOS器件相比，這些晶體管采用的雙層金化和金線間連接專利使得其平均無故障時(shí)間(MTTF)提高8-10倍，或使得設(shè)計(jì)人員可在結(jié)點(diǎn)溫度提高20度的情況下使用。

    鑒于WCDMA功率放大器本身具有的低系統(tǒng)效率，這些特性可極大減低功耗和先進(jìn)3G基站的散熱問題，推動(dòng)放大器從地面向天線桿的趨勢(shì)發(fā)展。飛利浦第4代LDMOS晶體管的優(yōu)異補(bǔ)償線性特別適合多載波功率放大器(MCPA)和未來的數(shù)字預(yù)失真 (Digital Pre-Distortion)應(yīng)用。

    首個(gè)采用該突破性LDMOS的功率晶體管于今年4季度推出樣品，明年第一季度開始量產(chǎn)。首個(gè)推出的器件是BF4G22-100 WCDMA 晶體管，增益為13.5 dB，增益平坦為0.1 dB (2110-2170 MHz)，輸出功率為24W時(shí)的2載波WCDMA運(yùn)行效率是26%，-40 dBc的ACPR和-36 dBc的IMD。在以上的運(yùn)行條件下，以及IS95信號(hào)和CCDF的3dB壓縮下，該晶體管的峰值輸出功率超過150W。飛利浦的第4代LDMOS技術(shù)適用于所有的蜂窩頻段，從800 MHz到2.2 GHz。飛利浦的LDMOS發(fā)展藍(lán)圖顯示在未來發(fā)展中，還將充分利用公司0.18 μm主流CMOS生產(chǎn)工藝的先進(jìn)生產(chǎn)能力。