飛利浦推出LDMOS技術(shù)加速3G蜂窩網(wǎng)絡(luò)建設(shè)步伐

    飛利浦(Philips)公司日前宣布在LDMOS技術(shù)上取得重大突破，可降低3G蜂窩基站的復(fù)雜性和運營成本，同時大大增強性能和可靠性。采用飛利浦新型第4代LDMOS技術(shù)生產(chǎn)的射頻功率晶體管與現(xiàn)有LDMOS器件相比，增益更大，運行效率更高。因此，射頻功率放大器需要的增益級更少，運行能量消耗也更少。這些新型晶體管具備的優(yōu)異線性功能(即使在高功率級別下)意味著它們能滿足多載波WCDMA和GSM EDGE基站放大器的超低失真要求。

    行業(yè)對3G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施的推出期待已久，3G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施也被看作在提供更為豐富的多媒體體驗和為移動用戶提供更先進數(shù)據(jù)服務(wù)方面的重要一步。使飛利浦LDMOS技術(shù)成為3G基礎(chǔ)設(shè)施理想之選的這些特性，也使得LDMOS技術(shù)也適用于目前在全球各地推出的眾多數(shù)字地面電視系統(tǒng)的發(fā)送器上。

    飛利浦半導體LDMOS射頻功率器件市場經(jīng)理Rick Dumont說：“第4代LDMOS技術(shù)的推出，使得射頻功率放大器設(shè)計人員有更多的設(shè)計空間，更好地解決效率和線性折衷這一非常困難的問題。這些新器件還可更容易地滿足WCDMA等系統(tǒng)在電信行業(yè)所需的價位情況下對性能的要求，進一步增強我們作為主要蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施廠商LDMOS 射頻功率器件領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。”

    飛利浦新型 0.6 μm LDMOS技術(shù)使射頻功率晶體管的性能達到一個新階段，功率密度提高50%，WCDMA效率提高6-8%，功率增益與以前的0.8 μm相比，提高了2 dB。此外，與傳統(tǒng)LDMOS器件相比，這些晶體管采用的雙層金化和金線間連接專利使得其平均無故障時間(MTTF)提高8-10倍，或使得設(shè)計人員可在結(jié)點溫度提高20度的情況下使用。

    鑒于WCDMA功率放大器本身具有的低系統(tǒng)效率，這些特性可極大減低功耗和先進3G基站的散熱問題，推動放大器從地面向天線桿的趨勢發(fā)展。飛利浦第4代LDMOS晶體管的優(yōu)異補償線性特別適合多載波功率放大器(MCPA)和未來的數(shù)字預(yù)失真 (Digital Pre-Distortion)應(yīng)用。

    首個采用該突破性LDMOS的功率晶體管于今年4季度推出樣品，明年第一季度開始量產(chǎn)。首個推出的器件是BF4G22-100 WCDMA 晶體管，增益為13.5 dB，增益平坦為0.1 dB (2110-2170 MHz)，輸出功率為24W時的2載波WCDMA運行效率是26%，-40 dBc的ACPR和-36 dBc的IMD。在以上的運行條件下，以及IS95信號和CCDF的3dB壓縮下，該晶體管的峰值輸出功率超過150W。飛利浦的第4代LDMOS技術(shù)適用于所有的蜂窩頻段，從800 MHz到2.2 GHz。飛利浦的LDMOS發(fā)展藍圖顯示在未來發(fā)展中，還將充分利用公司0.18 μm主流CMOS生產(chǎn)工藝的先進生產(chǎn)能力。