日本研究出兩種半導(dǎo)體融合技術(shù)

新華網(wǎng)東京6月20日電(記者張可喜)日本科學(xué)家研究出一種把半導(dǎo)體硅與化合物半導(dǎo)體磷
化鎵融合在一起的技術(shù)，為制造可在一塊芯片上處理電子、光和微波的光電子融合元件開辟了道
路。

這一技術(shù)是由日本豐橋科技大學(xué)教授米津宏雄領(lǐng)導(dǎo)的科研小組研究成功的。硅半導(dǎo)體和化
合物半導(dǎo)體在原子的排列間隔、熱膨脹系數(shù)及界面的電子數(shù)量等方面是各不相同的，因此在把這兩
種物質(zhì)融合在一起時，原子之間會產(chǎn)生縫隙，難以實現(xiàn)它們的一體化。

據(jù)米津教授公布的材料說，為使這兩種不同的半導(dǎo)體實現(xiàn)晶體融合，他們采取了以下方
法：一、在磷化鎵里添加氮，以調(diào)整它的原子排列；二、在硅基板上構(gòu)筑由失真量子阱、導(dǎo)波層和
金屬包層構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)；三、用硅層夾住磷化鎵層。

半導(dǎo)體元件大致分為使用硅晶體的電子元件、使用化合物半導(dǎo)體的光元件和微波元件三
種。米津教授研究成功的這種新的半導(dǎo)體材料，有可能把上述三種半導(dǎo)體元件制作在一塊芯片上，
使之能發(fā)揮出三種元件的功能。此外，它還能減少制造化合物半導(dǎo)體所不可缺少的砷、磷等有毒物
質(zhì)的使用量，有益于減少環(huán)境負(fù)荷。(完)