新華網(wǎng)東京6月20日電(記者張可喜)日本科學家研究出一種把半導體硅與化合物半導體磷
化鎵融合在一起的技術,為制造可在一塊芯片上處理電子、光和微波的光電子融合元件開辟了道
路。
這一技術是由日本豐橋科技大學教授米津宏雄領導的科研小組研究成功的。硅半導體和化
合物半導體在原子的排列間隔、熱膨脹系數(shù)及界面的電子數(shù)量等方面是各不相同的,因此在把這兩
種物質(zhì)融合在一起時,原子之間會產(chǎn)生縫隙,難以實現(xiàn)它們的一體化。
據(jù)米津教授公布的材料說,為使這兩種不同的半導體實現(xiàn)晶體融合,他們采取了以下方
法:一、在磷化鎵里添加氮,以調(diào)整它的原子排列;二、在硅基板上構筑由失真量子阱、導波層和
金屬包層構成的量子阱結構;三、用硅層夾住磷化鎵層。
半導體元件大致分為使用硅晶體的電子元件、使用化合物半導體的光元件和微波元件三
種。米津教授研究成功的這種新的半導體材料,有可能把上述三種半導體元件制作在一塊芯片上,
使之能發(fā)揮出三種元件的功能。此外,它還能減少制造化合物半導體所不可缺少的砷、磷等有毒物
質(zhì)的使用量,有益于減少環(huán)境負荷。(完)