鐵電變阻器在“高密度”研究方面獲大突破

在存儲器領域中，讀寫速度更快、可靠性更強、體積更小的存儲器有望誕生。近日，復旦大學信息科學與工程學院微電子學系教授江安全在高密度鐵電阻變存儲器（Ferro-RRAM）的研究中取得重大進展，他帶領的研究小組與中科院物理所、首爾大學、劍橋大學等合作，證明了一種鐵電自發(fā)極化方向調制的p-n結電流，可運用于高密度信息的非揮發(fā)存儲。

江安全介紹，鐵電存儲器最大的優(yōu)點在于讀寫速度快。目前，在使用電腦讀取硬盤時，無法實現(xiàn)較快速度的原因不在于CPU的技術，而是因為大量的時間耗費在數(shù)據(jù)交換上。相比現(xiàn)在使用廣泛的閃存硬盤以毫秒為單位的運轉速度，鐵電存儲器可以達到幾十納秒，快了106倍，可廣泛應用于高性能移動數(shù)字設備和電腦中，大大提升了讀寫數(shù)據(jù)的效率。

同時，把存儲器做得越來越小且容量越來越大，也就是提高存儲器的密度，是諸多研究人員的努力方向。江安全介紹說，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內的存儲容量比現(xiàn)有的電容存儲器等有了巨大的提升空間。在未來，像現(xiàn)有U盤大小的存儲器可以有幾十個G的存儲量，將不再是夢想。

除了信息高密度存儲和快速擦寫特性，鐵電存儲器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點，具有極大的產業(yè)化潛力，尤其是在電子標簽、移動電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數(shù)碼相機等耗電少的電子產品中，將率先得到應用和發(fā)展。