新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）

時(shí)間：2008-11-28 17:43:04

關(guān)鍵字： Vishay TRENCHFET 功率MOSFET SILICONIX

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。

SiR440DP 在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為 2.0mΩ，在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為 1.55mΩ。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時(shí)為 87。

與為實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗及低切換損耗而優(yōu)化的最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些規(guī)格表示在 4.5V 及 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻分別降低 23% 與 22.5%，F(xiàn)OM 降低 27%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷意味著更低的傳導(dǎo)損耗及切換損耗。

Vishay Siliconix SiR440DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中用作低端 MOSFET。其低傳導(dǎo)及切換損耗將確保穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的諸多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

Vishay還推出了新型 20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。這些器件在 4.5V 時(shí)分別提供 2.5mΩ 與 4mΩ 的導(dǎo)通電阻，在 10V 時(shí)為 1.9mΩ 及 2.9mΩ，典型柵極電荷為 35.3nC 及 20nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝。這些器件無(wú)鉛 (Pb)，無(wú)鹵素，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。

目前，SiR440DP、SiR866DP 和 SiR890DP可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。